[发明专利]包括晶体管芯片、二极管芯片和驱动器芯片的半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，其包括：

载体；

设置在所述载体上面的至少一个半导体晶体管；

设置在所述载体上面的至少一个半导体二极管，其中所述至少一个半导体晶体管和所述至少一个半导体二极管设置在所述载体的第一金属部分上；

设置在所述载体的第二金属部分上面的至少一个半导体驱动器芯片，其中所述至少一个半导体驱动器芯片通过一个或多个接合引线而连接到所述载体上的一个或多个金属线，其中所述一个或多个金属线与所述第一金属部分和所述第二金属部分分离，并且一个或多个金属线中的至少一个连接到所述载体上的金属脚点；

其中所述半导体晶体管、所述半导体二极管和所述半导体驱动器芯片横向并排地设置在所述载体上；

多个外部连接器；以及

包封层，所述包封层覆盖所述载体、所述半导体晶体管、所述半导体二极管、所述半导体驱动器芯片、所述一个或多个金属线、所述金属脚点和所述一个或多个接合引线，其中所述包封层包括电通路连接，所述电通路连接从所述半导体晶体管延伸到所述包封层的顶部并且从所述金属脚点延伸到所述包封层的所述顶部。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，此外还包括：

多个金属脚点，其中，所述脚点中的每个单个脚点都设置在所述半导体驱动器芯片旁边并且在所述包封层的电通路连接中的一个的下面，其中

所述半导体驱动器芯片包括多个接触垫，其中，所述多个脚点中的每个单个脚点都与所述多个接触垫中的一个相连。

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，

所述脚点中的一个或多个的直径在从300 μm至1.2 mm的范围内。

4.根据权利要求2或3所述的半导体模块，还包括：

多个金属线，其中

所述脚点中的一个或多个与所述金属线中的一个金属线的一个端部连接，其中所述一个金属线的另一端部通过接合引线与所述接触垫中的一个相连。

5.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，其中，

所述包封层的厚度在从50 μm至1 mm的范围内。

6.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，其中

所述包封层的所述电通路连接的横向直径大于50 μm，特别地大于100μm，特别地大于150μm，特别地大于200μm。

7.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，此外还包括：

设置在所述包封层上面或下面的多个无源电器件。

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

所述无源电器件设置在所述包封层上面，并且与所述电通路连接相连。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

所述无源电器件设置在所述包封层下面，并且与所述金属线相连。

10.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，其中，

所述载体包括直接铜接合DCB衬底、直接铝接合DAB衬底、活性金属钎焊AMB衬底和模制嵌入式引线框架中的一个或多个。

11.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，其中，

所述载体包括最上面的金属层和在所述金属层下面的绝缘层，其中所述金属层包括至少一个金属部分和至少一个开口部分，在所述至少一个开口部分中，所述绝缘层被暴露。

12.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

所述半导体晶体管和所述半导体二极管设置在金属部分上，并且所述半导体驱动器芯片设置在开口部分中的所述绝缘层上。

13.根据前述权利要求1-3中任一项所述的半导体模块，此外还包括：

在所述包封层上面设置在所述半导体晶体管的轮廓之内的温度传感器。