[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种抑制伴随电源电压的降低而产生的数据的消失的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器单元MC，包含第1可变电阻元件VR；以及第1写入控制器21及第2写入控制器31，控制向所述第1存储器单元的写入。所述第1写入控制器基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入，所述第2写入控制器在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2017-175899号(申请日：2017年9月13日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

Magnetic Random Access Memory(MRAM，磁随机存取存储器)是使用具有磁阻效应的存储元件作为存储信息的存储器单元的存储器装置。MRAM作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的新一代存储器装置受到注目。

发明内容

实施方式提供一种抑制伴随电源电压的降低产生的数据的消失的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器单元MC，包含第1可变电阻元件VR；以及第1写入控制器21及第2写入控制器31，控制向所述第1存储器单元的写入。所述第1写入控制器基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入，所述第2写入控制器在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的整体构成的框图。

图2是表示第1实施方式的半导体存储装置的存储器单元阵列的图。

图3A是表示第1实施方式的半导体存储装置中的可变电阻元件的概略构成的剖视图。

图3B是用来说明第1实施方式的半导体存储装置中的可变电阻元件的写入的图，且是表示平行状态(P状态)中的可变电阻元件的剖视图的图。

图3C是用来说明第1实施方式的半导体存储装置中的可变电阻元件的写入的图，且是表示反平行状态(AP状态)中的可变电阻元件的剖视图的图。

图4是表示第1实施方式的全局写入电路及读/写电路的图。

图5是表示第1实施方式的全局写入电路及读/写电路的变化例的图。

图6是表示第1实施方式的半导体存储装置中的读出的流程图。

图7是表示第1实施方式的半导体存储装置中的写入电压与写入时间的关系的图。

图8是表示第1实施方式的半导体存储装置中的读出的时序图。

图9是表示第1实施方式的半导体存储装置中的读出的时序图。

图10是表示第2实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路及电源供给电路的图。

图11是表示第2实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路及电源供给电路的动作的图。

图12是表示第3实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路及电源供给电路的图。

图13是表示第3实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路的动作的图。

图14是表示第3实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路的动作的图。

图15是表示第4实施方式的半导体存储装置中的电压侦测电路及电源供给电路的图。