[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1存储器单元，包含第1可变电阻元件；

第1写入控制器，基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入；

第2写入控制器，在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入；

第1电路，根据基于从所述第1配线供给的电压的第1信号控制所述第2写入控制器；以及

第2电路，根据基于从所述第1配线供给的电压的第2信号将从所述第1配线供给的电压供给至所述第1存储器单元。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1写入控制器基于所述第1电压在第1时间进行向所述第1存储器单元的写入，

所述第2写入控制器基于所述第2电压在比所述第1时间长的第2时间进行向所述第1存储器单元的写入。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

基于所述第1信号的电压低于基于所述第2信号的电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

还具备：第4电路，串联地连接于所述第1配线与所述第1电路之间；以及

第5电路，串联地连接于所述第1配线与所述第1电路之间，且与所述第4电路并联地连接。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第4电路包含：

串联地连接的第1晶体管及第1电阻；以及

串联地连接的第2晶体管及第2电阻；

所述第5电路包含：

串联地连接的第1保险丝及第3电阻；以及

串联地连接的第2保险丝及第4电阻；

所述第1电阻的电阻值与所述第2电阻的电阻不同，所述第3电阻的电阻值与所述第4电阻的电阻不同。

6.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1存储器单元，包含第1可变电阻元件；

第1写入控制器，基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入；

第2写入控制器，在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入；以及

第1电路，根据基于从所述第1配线供给的电压的第1信号控制所述第2写入控制器；且

所述第1电路包含：

第3电路，根据温度产生不同的电压；以及

比较器，包含：第1输入端子，供给基于从所述第1配线供给的电压的第3信号；及第2输入端子，供给基于由所述第3电路产生的电压的第4信号。

7.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1存储器单元，包含第1可变电阻元件；

第1写入控制器，基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入；

第2写入控制器，在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入；以及

第1电路，根据基于从所述第1配线供给的电压的第1信号控制所述第2写入控制器；且

所述第1电路包含NAND电路，

所述NAND电路包含：第1输入端子，供给基于从所述第1配线供给的电压的第5信号；及第2端子，供给第6信号。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第6信号为基于激活指令的信号。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第6信号为基于写入指令的信号。

10.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第6信号为基于读取指令的信号。