[发明专利]基材加热装置及方法以及电子设备的制造方法在审
申请号: | 201810013110.X | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108346558A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 山本昌裕;奥村智洋 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H05H1/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 基材保持 热源 加热装置 电子设备 冷却机构 加热部 线状 被处理物 基材接触 冷却能力 移动机构 用具保持 均匀性 外周部 直线状 加热 冷却 相交 制造 配置 移动 | ||
1.一种基材加热装置,其中,
所述基材加热装置具备:
基材保持用具,其保持作为被处理物的基材;
热源,其利用线状的加热部对由所述基材保持用具保持的所述基材进行加热;
移动机构,其能够使所述基材保持用具和所述热源在与所述热源的所述线状的加热部的长度方向相交的方向上相对地移动;以及
冷却机构,其配置于所述基材保持用具,通过与所述基材接触而对所述基材的外周部进行冷却,
所述冷却机构的冷却能力根据所述基材的位置而带有分布。
2.根据权利要求1所述的基材加热装置,其中,
所述冷却机构构成为,在所述基材和所述热源借助所述移动机构相对地移动且由所述热源对所述基材进行加热时,在伴随着所述移动机构的移动而所述基材的加热对象区域变窄的区域中,按照移动方向来提高所述冷却机构的冷却能力。
3.根据权利要求1所述的基材加热装置,其中,
所述冷却机构构成为,在所述基材和所述热源借助所述移动机构相对地移动且由所述热源对所述基材进行加热时,在伴随着所述移动机构的移动而所述基材的加热对象区域变宽的区域中,按照移动方向来降低冷却机构的冷却能力。
4.根据权利要求1所述的基材加热装置,其中,
所述热源是电感耦合型等离子体焰炬,
所述电感耦合型等离子体焰炬具备:
电介质构件;
线状的开口部,其形成于所述电介质构件的端部;
环状的腔室,其在所述开口部以外的部分被所述电介质构件包围,且该环状的腔室与所述开口部连通;
气体供给配管,其向所述腔室内导入气体;
线圈,其设置于所述腔室附近的所述电介质构件;以及
高频电源,其与所述线圈连接且向所述线圈施加高频电压。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基材加热装置,其中,
在使所述基材保持用具和所述热源相对地移动时,将所述热源固定而使所述基材保持用具相对于所述热源移动。
6.一种基材加热方法,其中,
所述基材加热方法包括:
将作为被处理物的基材保持于基材保持用具;
在与作为加热单元的线状热源的线状加热部的长度方向相交的方向上使所述热源和所述基材相对地移动,利用所述热源发出的热量对所述基材进行加热,并且使用与所述基材接触而对所述基材的外周部进行冷却的冷却机构,在伴随着移动而所述基材的加热对象区域变窄的区域中,按照移动方向来提高所述冷却机构的冷却能力,或者在伴随着移动而所述基材的加热对象区域变宽的区域中,按照移动方向来降低所述冷却机构的冷却能力。
7.一种电子设备的制造方法,其中,
所述电子设备的制造方法通过使用权利要求6所述的基材加热方法来对所述基材进行加热,从而制造电子设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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