[发明专利]一种发光二极管波长控制方法

说明书

本发明提供了一种发光二极管波长控制方法，包括以下步骤：对沉积量子阱结构时设定一预设温度，该预设温度为载片盘表面预设温度并对应一标准温度，该标准温度为衬底表面标准温度；获取沉积量子阱结构时载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度；根据获取的衬底表面实际温度与衬底表面标准温度差值对预设温度进行修正，得一修正温度；输出所述修正温度使载片盘表面实际温度等于修正温度。本发明利用探测到的衬底表面温度对载片盘表面温度进行修正，在量产过程中即使前后批次衬底翘曲不同，也能保持发光二极管波长的一致性，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种发光二极管波长控制方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于具有寿命长、耗能低等优点，广泛应用于各种领域。尤其随着发光二极管照明性能指标的大幅度提高，发光二极管常用于发光装置。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光功率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电器件等领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。

氮化镓(GaN)发光二极管的基本结构包括N型氮化镓层(电子提供层)和P型氮化镓层(空穴提供层)构成的PN结。发光效率和发光波长是发光二极管的重要性质。为了增加发光二极管的发光效率并控制发光波长，量子阱结构被引入发光二极管中，即在电子提供层和空穴提供层之间形成一层量子阱结构。

量子阱结构是由两种不同材料薄层相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的量子阱，这两种不同材料薄层分别为垒层和阱层。发光层(量子阱结构)能够有效提高发光二极管的发光效率，并可以形成波长可调的二极管。

在通过MOCVD(Metal- Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积)设备/工艺进行LED外延片制备时利用在衬底材料上沉积GaN实现异质外延。由于异质外延衬底和GaN之间的晶格失配以及热形变差产生的应力会使外延片发生翘曲现象，翘曲使得在后续生长发光层时，外延片中心位置比边缘更靠近或紧挨石墨盘的表面，从而使中心部分温度高于边缘部分，最终导致生长发光层后的外延片中心部分的发光波长要比边缘部分短。

工业化量产过程中，保持不同批次间产品性能指标的前后一致性是业界长期追求的目标。在连续生产时，衬底材料、沉积时工艺条件的波动，都会使得不同批次间(具体表现为不同炉次间)外延片发生不同程度的翘曲，翘曲的变化导致在通过温度对波长进行控制时难以保持前后批次间波长的一致性，同时不同的翘曲使得外延片受热温度不同，而温度会对外延结晶质量产生重要影响，最后得到的外延片结晶质量一致性、均匀性差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种发光二极管波长控制方法，能够有效的改善不同批次间LED发光波长的一致性，提高产品良率。

本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种发光二极管波长控制方法，包括以下步骤：

对沉积量子阱结构时设定一预设温度，该预设温度为载片盘表面预设温度并对应一标准温度，该标准温度为衬底表面标准温度；

获取沉积量子阱结构时载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度；

根据获取的衬底表面实际温度与衬底表面标准温度差值对预设温度进行修正，得一修正温度；

输出所述修正温度使载片盘表面实际温度等于修正温度。