[发明专利]一种发光二极管波长控制方法有效
| 申请号： | 201810012659.7 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108258091B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 苏州达亚电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 李昌霖 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 波长 控制 方法 | ||
1.一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
对沉积量子阱结构时设定一预设温度，该预设温度为载片盘表面预设温度并对应一标准温度，该标准温度为衬底表面标准温度；
获取沉积量子阱结构时载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度；
根据获取的衬底表面实际温度与衬底表面标准温度差值对预设温度进行修正，得一修正温度；
输出所述修正温度使载片盘表面实际温度等于修正温度；
所述量子阱结构包括高温量子阱结构和低温量子阱结构，所述高温量子阱结构位于N型GaN层一侧，所述低温量子阱结构位于P型GaN层一侧，低温量子阱结构沉积在高温量子阱结构上；所述预设温度包括沉积量子阱层时的阱层预设温度和/或沉积量子垒层时的垒层预设温度，所述修正温度包括沉积量子阱层时的阱层修正温度和/或沉积量子垒层时的垒层修正温度，所述高温量子阱结构中阱层预设温度、垒层预设温度至少其中之一大于所述低温量子阱结构中阱层预设温度、垒层预设温度。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述高温量子阱结构中阱层预设温度、垒层预设温度至少其中之一大于所述低温量子阱结构中阱层预设温度、垒层预设温度5～30℃。
3.如权利要求1或2所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，获取沉积量子阱结构时载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度为所述高温量子阱结构的载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度。
4.如权利要求3所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，获取沉积量子阱结构时载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度为直接与N型GaN层接触的高温量子阱结构的载片盘表面实际温度和衬底表面实际温度。
5.如权利要求1所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述修正温度为所述低温量子阱结构中的阱层修正温度和/或低温量子阱结构中的垒层修正温度。
6.如权利要求1或5所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述修正温度大于或小于预设温度0～20℃。
7.如权利要求1所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述阱层修正温度与所述阱层预设温度差值为所述衬底表面实际温度与衬底表面标准温度差值幅度的1/4～1。
8.如权利要求1所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述垒层修正温度与所述垒层预设温度差值为所述衬底表面实际温度与衬底表面标准温度差值幅度的1/2～2。
9.如权利要求7或8所述的一种发光二极管波长控制方法，其特征在于，所述阱层修正温度与所述阱层预设温度差值为所述垒层修正温度与所述垒层预设温度差值的1/4～1/2。
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