[发明专利]掩膜板及其制备方法

说明书

本发明提供了掩膜板及其制备方法。该掩膜板包括：掩膜板母板；保护层，保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，保护层用于保护掩膜板母板和/或与掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别的，涉及掩膜板及其制备方法。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料，即将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到衬底表面上。为了实现特定区域镀膜，一般通过在镀膜衬底表面遮挡一层掩膜板，通过掩膜板上无掩膜区域实现选择性沉积镀膜。现行金属掩膜板多为Invar合金(铁镍合金)，但在清洗过程中表面粗糙度会不断变大，会有刮伤镀膜衬底等不良现象产生。

因此，关于掩膜板的研究有待深入。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种使用寿命长、易清洗、耐腐蚀性好、镀膜产品质量高、或保护衬底不受损伤的掩膜板。

本发明是发明人基于以下认识和发现获得的：

目前的掩膜板进行清洗过程中其表面粗糙度会越来越大，使用时与掩膜板直接接触的镀膜衬底会被刮伤，特别是在进行含碳元素薄膜制备的工艺中，对成膜腔室和掩膜板清洁时，在含氧条件下，金属掩膜板中的金属会被含氧等离子体腐蚀，影响掩膜板的使用寿命，同时被腐蚀的金属残留在掩膜板的表面上，产生异物颗粒，影响镀膜质量；同时现有掩膜板不具有电磁屏蔽作用，会释放静电，且镀膜时会发生弯折，在PECVD中会造成衬底被静电烧伤，导致金属掩膜板的边缘出现薄膜厚度不均匀的现象，影响产品良率；目前为了保护掩膜板和衬底，会在金属掩膜板的表面通过胶材贴附一层聚四氟乙烯，但在镀膜时胶材中含硅成分会析出，污染产品及腔室。针对上述问题，发明人提出可以在掩膜板的表面形成一层保护层，由此可以使得掩膜板易于清洗、耐腐蚀性能好、不会在清洗过程中表面粗糙度增大、抗静电能力和抗变形能力强。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种掩膜板。根据本发明的实施例，所述掩膜板包括：掩膜板母板；保护层，所述保护层设置于掩膜板母板的至少一个表面上，所述保护层用于保护所述掩膜板母板和/或与所述掩膜板直接接触的衬底不受损伤。由此，通过设置保护层可以使得掩膜板具有较小的表面粗糙度，可以避免与掩膜板直接接触的衬底被刮伤；保护层还可以避免掩膜板母板静电的释放，以免造成对上述衬底的烧伤以及改善掩膜板边缘处薄膜厚度不均匀的现象；还可以提高掩膜板的抗腐蚀性，延长掩膜板的使用寿命。

根据本发明的实施例，所述保护层为镍-磷薄膜或者氟碳涂层中的至少一种。

根据本发明的实施例，基于所述氟碳涂层的总质量，按照质量百分比计，所述氟碳涂层包括15～25％的聚醚醚酮、5～10％的聚苯硫醚、5～10％的MoS₂，以及余量的聚四氟乙烯。

根据本发明的实施例，基于所述镍-磷薄膜的总质量，按照质量百分比计，磷的含量为8-9％。

根据本发明的实施例，所述保护层包括所述镍-磷薄膜和所述氟碳涂层，其中，所述镍-磷薄膜设置在所述掩膜板模板的至少一个表面上，所述氟碳涂层设置于所述镍-磷薄膜远离所述掩膜板母板的表面上。