[发明专利]具有电荷泵的半导体装置在审
| 申请号: | 201780095788.0 | 申请日: | 2017-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN111226387A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
| 发明(设计)人: | 吴俊;潘栋 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 电荷 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
电荷泵单元芯,其经耦合以接收多个时钟信号,所述电荷泵单元芯包含:
泵区段;及
单个通过门,其耦合到所述泵区段以基于所述多个时钟信号转移电荷,所述单个通过门是直接耦合到所述电荷泵单元芯的输入及输出的n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述电荷泵单元芯包含升压区段及控制晶体管,所述控制晶体管耦合到所述单个通过门以控制所述单个通过门且耦合到所述升压区段。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述控制晶体管耦合到所述单个通过门的栅极;且所述升压区段的升压电容器耦合到所述控制晶体管的源极。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述升压区段包含耦合到第一反相器的升压电容器,其中所述第一反相器经耦合以接收所述时钟信号中的一者;且所述泵区段包含耦合到第二反相器的泵电容器,其中所述第二反相器经耦合以接收所述时钟信号中的另一者。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述控制晶体管是经布置以控制所述通过门的一组晶体管中的晶体管。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述电荷泵单元芯安置于移动通信装置中的集成电路中。
7.一种半导体装置,其包括:
用以分配时钟信号的节点;及
具有一组电荷泵单元芯的电荷泵,每一电荷泵单元芯经耦合以从所述节点接收若干个所述时钟信号,所述一组电荷泵单元芯包含电荷泵单元,所述电荷泵单元具有耦合到所述组的另一电荷泵单元芯的输出节点的输入节点,每一电荷泵单元芯包含:
升压区段;
泵区段;
单个通过门,其耦合到所述泵区段以基于所述时钟信号相对于所述泵区段及所述升压区段转移电荷,所述单个通过门是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管;及
控制晶体管,其耦合到所述单个通过门以控制所述单个通过门且耦合到所述升压区段。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中所述一组电荷泵单元芯具有布置有耦合到若干个互补级的若干个级的结构,所述若干个级中的每一级具有所述一组电荷泵单元芯的电荷泵单元芯且所述若干个互补级中的每一级具有所述一组电荷泵单元芯的电荷泵单元芯。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述若干个级构造为:第一级耦合到所述组的其它级的组合,其中所述第一级之后的相应级的输入节点耦合到先前级的输出,所述第一级的所述输入节点耦合到一或多个辅助晶体管,所述一或多个辅助晶体管可操作以向所述第一级提供预充电。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,其中每一级及每一互补级的所述升压区段包含耦合到相应第一反相器的升压电容器,其中所述相应第一反相器经耦合以接收第一时钟信号;且每一级及每一互补级的所述泵区段包含耦合到相应第二反相器的泵电容器,其中所述相应第二反相器经耦合以接收第二时钟信号,每一级的所述升压区段及泵区段经布置以接收所述第一及第二时钟信号,作为其对应互补级的所述第一及第二时钟信号的补充。
11.根据权利要求8所述的半导体装置,其中级的数目为2且互补级的数目为2,所述两个级及所述两个互补级经布置使得由所述两个级中的一者接收的所述时钟信号是由所述两个级中的另一者的所述互补级接收的所述时钟信号。
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