[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：

在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；

在避开所述开口部和通过所述开口部露出的所述半导体基板的同时，在所述绝缘膜之上形成第1抗蚀层；

通过蒸镀法或者溅射法，在所述开口部、所述第1抗蚀层和通过所述开口部露出的所述半导体基板之上形成第1金属；

通过剥离法将所述第1抗蚀层和所述第1抗蚀层之上的所述第1金属去除；

在所述绝缘膜之上形成使所述第1金属露出的第2抗蚀层；

通过无电解镀法在所述第1金属生长第2金属；以及

去除所述第2抗蚀层，

所述第1金属比所述绝缘膜薄，

所述第2抗蚀层的侧面与所述第1金属直接相接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2抗蚀层的开口宽度越接近所述半导体基板越小。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2金属形成得比所述第2抗蚀层厚。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：

在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；

在避开所述开口部和通过所述开口部露出的所述半导体基板的同时，在所述绝缘膜之上形成第1抗蚀层；

通过蒸镀法或者溅射法，在所述开口部、所述第1抗蚀层和通过所述开口部露出的所述半导体基板之上形成第1金属；

通过剥离法将所述第1抗蚀层和所述第1抗蚀层之上的所述第1金属去除；

在所述绝缘膜之上形成使所述第1金属露出的第2抗蚀层；

通过无电解镀法在所述第1金属生长第2金属；以及

去除所述第2抗蚀层，

所述第2抗蚀层的开口宽度越接近所述半导体基板越小，

所述第2抗蚀层的侧面与所述第1金属直接相接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2金属形成得比所述第2抗蚀层厚。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在去除所述第2抗蚀层之后形成将所述第2金属覆盖的绝缘保护膜；

在所述半导体基板之上形成第3抗蚀层，该第3抗蚀层使在所述第2金属之上形成的所述绝缘保护膜和在所述第2金属的侧面形成的所述绝缘保护膜露出；

在所述绝缘保护膜形成第3金属；以及

去除所述第3抗蚀层，

所述绝缘保护膜通过等离子体CVD法、热CVD法、溅射法或者ALD法形成，

所述第3金属通过溅射法或者蒸镀法形成。

7.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在去除所述第2抗蚀层之后形成将所述第2金属覆盖的绝缘保护膜；

在所述半导体基板之上形成第3抗蚀层，该第3抗蚀层使在所述第2金属之上形成的所述绝缘保护膜和在所述第2金属的侧面形成的所述绝缘保护膜露出；

在所述绝缘保护膜形成第3金属；以及

去除所述第3抗蚀层，

该半导体装置的制造方法具有通过无电解镀法形成与所述第3金属相接的第4金属的工序。