[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780091245.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110678960B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 上野贵宽;玉田尚久;北川宽士 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序，即：
在衬底的上表面涂敷抗蚀层；
在所述抗蚀层形成开口部；
收缩剂涂敷工序，在所述抗蚀层之上涂敷热收缩的收缩剂，将所述开口部填埋；
收缩工序，通过加热所述收缩剂使所述收缩剂热收缩，从而将所述开口部的宽度变窄；
去除工序，在所述收缩工序之后去除所述收缩剂；
金属层形成工序，在所述去除工序之后，在所述抗蚀层之上和所述开口部形成金属层；以及
去除所述金属层中的位于所述抗蚀层之上的部分和所述抗蚀层，
在所述收缩工序中，形成所述开口部的所述抗蚀层的侧面形成在所述抗蚀层的厚度方向的中央部朝向所述开口部的中心部而凸出的曲面，
在所述去除工序中，通过水洗处理而去除所述收缩剂。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述收缩剂不与所述抗蚀层发生反应。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述金属层形成工序之前，反复实施所述收缩剂涂敷工序、所述收缩工序以及所述去除工序。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述抗蚀层的厚度大于或等于所述金属层的厚度的2倍。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述金属层形成工序中，通过使所述金属层的材料从与所述衬底的上表面垂直的方向堆叠，从而形成所述金属层。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述开口部形成的金属层的底面的宽度比所述开口部的在所述衬底之上的宽度窄。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
