[发明专利]半导体装置的制造装置和制造方法

说明书

提供半导体装置的制造装置和制造方法，在利用半导体芯片的临时正式分割工艺制造半导体装置时，防止在正式压接工序中产生位置偏移，不会对热压接对象以外的半导体芯片带来热的不良影响。具体而言，该制造装置具有搬送单元，该搬送单元具有对基板进行局部保持的保持部，具有将所述基板从临时压接部移动至正式压接部的功能以及将所述基板从所述正式压接部移动至所述临时压接部的功能。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造装置和制造方法。更详细而言，涉及借助热硬化性粘接剂将半导体芯片热压接于基板或其他半导体芯片而进行电连接并且进行机械固定的半导体装置的制造装置和制造方法。

背景技术

作为将多个半导体芯片安装于基板的工艺，已知一种临时正式分割工艺，其分为如下的工序：临时压接工序，如图11的(a)那样将半导体芯片C与基板W上的焊盘电极E对位(图11的(b))而对在具有凸块B的接合面侧赋予了未硬化的热硬化性粘接剂R的半导体芯片C进行临时压接(图11的(c))；以及正式压接工序，进行加热压接使凸块B熔融而与焊盘电极E接合，并且使热硬化性粘接剂R硬化而进行机械固定(图11的(d))。

通常，与临时压接工序所需的时间相比，正式压接工序所需的时间较长，但在临时正式分割工艺中，能够同时对多个处于临时压接状态的半导体芯片Ca(图11的(c))进行热压接。因此，与将半导体芯片逐个配置于规定的部位直至热压接为止所进行的连贯工艺相比，能够大幅缩短生产时间。

该临时正式分割工艺以往通过图12和图13中例示的临时压接装置200和正式压接装置300来进行。

临时压接装置200通过临时压接头204将半导体芯片C逐个临时压接于能够在XYθ方向上进行位置调整的焊接台201所保持的基板W上，在临时压接完成之后，如图14的(a)那样将临时压接状态的半导体芯片Ca配置于规定的部位。另外，正式压接装置300通过正式压接头304将已被临时固定的半导体芯片Ca以多个为单位热压接于能够在XYθ方向上进行位置调整的焊接台301所保持的基板W上。在图14的(b)的例子中，正式压接头进行热压接的加压面Ab相当于四个临时压接状态的半导体芯片Ca(纵横各两个)，四个被同时进行热压接而成为热压接完成的半导体芯片Cb。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-236021号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在以往的临时正式分割工艺中，在如图14的(a)那样在基板W上配置了将要进行临时压接的所有半导体芯片之后，如图14的(b)那样进行正式压接，但有时与正在进行正式压接的半导体芯片相邻的临时压接状态的半导体芯片Ca也会被加热。特别是，当基板W由硅晶片那样热传导率高的材质构成时，也不能无视经由基板W的传热。

这样，在与本来要进行热压接的半导体芯片相邻的临时压接状态的半导体芯片Ca被加热的情况下，会担心赋予至该半导体芯片Ca的热硬化性粘接剂R的硬化进展，从而导致在如图11的(c)那样的凸块B与焊盘电极E未接合的状态下被固定。

因此，研究了各种在正式压接工序中防止除了本来要进行热压接的半导体芯片以外的临时压接状态的半导体芯片Ca升温的方法。其中，专利文献1所述的方法是使用能够往返于临时压接部和正式压接部的载台，按照在正式压接时在与加压面相邻的部位不存在临时压接状态的半导体芯片Ca的方式反复进行临时压接和正式压接。该方法由于不存在与加压面相邻的临时压接状态的半导体芯片Ca，因此是防止热硬化性粘接剂R的不必要硬化的有效手段。

将进行该方法的装置结构的一例示于图15，该装置结构由临时压接部402、正式压接部403以及载台404构成，载台404设置成在对基板W进行保持的状态下能够在临时压接部402与正式压接部403之间移动(图16的(a)和图16的(b))。