[发明专利]半导体装置的制造装置和制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造装置，其将形成于半导体芯片的凸块和形成于基板上的焊盘电极电连接，并且将所述半导体芯片固定于所述基板上，其中，

该半导体装置的制造装置具有：

临时压接部，其具有对所述半导体芯片进行保持的临时压接用头以及对所述基板进行保持的临时压接用载台，该临时压接部将所述半导体芯片临时压接于所述基板上的规定的位置；

正式压接部，其具有正式压接用头和背面支承载台，该正式压接用头对已被临时压接于所述基板上的半导体芯片进行热压接，该背面支承载台按照与所述正式压接头对置的方式固定配置，以便从所述基板的背面对由所述正式压接用头进行热压接的范围进行支承，该正式压接部将形成于所述半导体芯片的凸块熔融而与形成于基板上的焊盘电极电连接，并且将所述半导体半导体芯片固定于所述基板上；以及

搬送单元，其具有对所述基板进行局部保持的保持部，该搬送单元具有将所述基板从所述临时压接部移动至所述正式压接部的功能以及将所述基板从所述正式压接部移动至所述临时压接部的功能。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其中，

在该制造装置是为了进行所述半导体芯片的连接而被赋予了热硬化性粘接剂的制造装置时，

所述临时压接用头具有将所述热硬化性粘接剂加热至比硬化开始温度低的温度的功能，

所述正式压接用头具有加热至使所述热硬化性树脂硬化的温度的功能。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造装置，其中，

所述正式压接用头同时对多个已被临时压接于所述基板上的半导体芯片进行热压接。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置的制造装置，其中，

所述背面支承载台的对所述基板进行支承的面小于所述基板，并具有与所述正式压接用头对应的形状。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造装置，其中，

使所述基板从所述临时压接部移动至所述正式压接部的所述搬送单元的所述保持部在所述正式压接部中也对所述基板进行保持。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置的制造装置，其中，

该半导体装置的制造装置具有多个所述搬送单元。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置的制造装置，其中，

所述临时压接用载台的对所述基板进行保持的面小于所述基板。

8.一种半导体装置的制造方法，其中，

该半导体装置的制造方法具有如下的工序：

临时压接工序，将半导体芯片临时压接于基板上的规定的位置；以及

正式压接工序，对已被临时压接于所述基板上的所述半导体芯片进行热压接，

在所述临时压接工序中，以进行所述热压接的加压面为单位，设定进行临时压接的部位和不进行临时压接的部位，

在所述正式压接工序中，使用对进行所述热压接的加压面进行支承的形状的背面支承载台。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述正式压接工序中，所述加压面是同时对多个半导体芯片进行加压的形状。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述临时压接工序中，相当于一个所述加压面的大小的进行临时压接的部位彼此被配置成按照所述加压面的整数倍隔开间隔。

11.根据权利要求8至10中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在该制造方法是为了进行所述半导体芯片的连接而被赋予了热硬化性粘接剂的制造方法时，

在所述临时压接工序中将所述热硬化性粘接剂加热至比硬化开始温度低的温度，

在所述正式压接工序中加热至使所述热硬化性树脂硬化的温度。