[发明专利]用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元

说明书

本发明涉及一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元。

技术领域

本发明涉及一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元。

背景技术

晶圆加工设备用于对供制造半导体等的晶圆进行沉积、曝光、蚀刻、清洗等加工，这样的晶圆加工设备能够以下面提及的专利文献作为示例。

在晶圆加工设备中，与缓冲腔室单元(buffer chamber unit)一起使用负载锁定腔室单元(load lock chamber unit)、传送腔室单元(transfer chamber unit)、处理腔室单元(process chamber unit)、设备前端单元(EFEM unit,Equipment front end unit)等。

所述设备前端单元安装有装载口(load port)，通过装载口将晶圆投入至晶圆加工设备内，或者在完成工艺后回收晶圆并运至外部；所述负载锁定腔室单元使晶圆在所述设备前端单元与所述传送腔室单元之间通过；所述传送腔室单元则内置有机械臂等，用于将通过所述负载锁定腔室单元投入的晶圆投入所述处理腔室单元，或者，将完成工艺的晶圆重新通过所述负载锁定腔室单元返还给所述设备前端单元；所述处理腔室单元则对通过所述传送腔室单元投入的晶圆进行蚀刻工艺。

所述缓冲腔室单元连接到所述设备前端单元，使得在所述负载锁定腔室单元与连接到所述设备前端单元的装载口之间往返的晶圆暂时停留，从而对该晶圆进行清除毒素等处理，并且在所述负载锁定腔室单元与所述设备前端单元之间起到例如缓冲的作用。

然而，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，因为需要对缓冲腔室单元进行例如清洗的修补、更换等作业，当将缓冲腔室单元从设备前端单元分离时，由于设备前端单元对外开放，因此需要停止晶圆加工设备本身，导致大幅降低工艺效率的问题。

并且，对于现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，在对缓冲腔室单元完成例如清洗的修补及更换等作业后，当再次将缓冲腔室单元连接到设备前端单元时，为重新启动晶圆加工设备，需要进行例如对传送腔室单元内的机械臂等进行示教等的补正及验证作业，这也会降低工艺效率。

而且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，在对晶圆加工设备的缓冲腔室单元进行补正、更换等作业后，将缓冲腔室单元重新连接到设备前端单元时，无法将缓冲腔室单元准确地重新结合至设备前端单元，并且，上述结合需要花费很长时间。

并且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，当需要对投入缓冲腔室单元的晶圆进行加热时，存在无法对晶圆进行均匀加热的问题。

而且，根据现有的用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，用于排放包括从投入至缓冲腔室单元的晶圆去除的烟气(fume)，以及工艺中使用的脱气(out gas)等毒素在内的空气的排放口形成于缓冲腔室单元的背面，使得从传送腔室单元、设备前端单元等流入的空气中的湿气、毒素等异物将在经过投入至缓冲腔室单元的晶圆后通过排放口排放至外部，由此，上述异物附着至晶圆导致不良等问题。

在先技术文献

专利文献

(专利文献1)授权实用新型第20-0125881号，授权日期：1998年6月30日，实用新型名称：半导体晶圆蚀刻装置。

(专利文献2)公开实用新型第20-1997-0059843号，公开日期：1997年11月10日，实用新型名称：晶圆的蚀刻装置。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元，无需中断晶圆加工设备的运行就能实现用于晶圆加工设备的缓冲腔室单元的分离和再结合。