[发明专利]处理装置、具备该处理装置的镀敷装置、输送装置、以及处理方法在审
| 申请号: | 201780071606.6 | 申请日: | 2017-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN109997216A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
| 发明(设计)人: | 伊藤贤也;上田浩彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/00;B65G49/07;C25D17/06;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被处理物 处理装置 吸盘 镀敷装置 输送装置 研磨 方向轴 抑制基 挠曲 配置 清洗 驱动 施加 | ||
本发明抑制基板(被处理物)的挠曲而稳定地输送被处理物。本发明提供一种处理装置。该处理装置具有:输送部,在被处理物的平面相对于水平绕输送方向轴倾斜的状态下输送被处理物;以及处理部,对被处理物的平面执行研磨及清洗中的至少一个。输送部具有:驱动部,构成为与被处理物的端部物理地接触来对被处理物施加输送方向的力;第一伯努利吸盘,与被处理物的平面对置配置;以及第二伯努利吸盘,与和被处理物的上述端部相反一侧的端部的端面对置配置。
技术领域
本发明涉及处理装置、具备该处理装置的电镀装置、输送装置、以及处理方法。
背景技术
以往,有时在半导体晶圆或印刷基板等的基板的表面形成布线或凸缘(突起状电极)等。作为形成该布线及凸缘等的方法,已知电解镀法。
在用于电解镀法的电镀装置中,一般来说,对具有300mm直径的晶圆等圆形基板进行电镀处理。但是,近年来,不限于像这样的圆形基板,要求对方形基板进行清洗、研磨或电镀等。像这样的方形基板例如通过将由圆形晶圆制成的晶片等粘贴于由树脂材料构成的基板的单面或两面来形成。
然而,在输送基板时,为了缩小输送装置的设置面积,已知将基板在形成纵式的姿势的状态下来输送(例如参照专利文献1)。另外,在输送基板时,在进行需要清洗或研磨等的液体的处理的情况下,也能够通过将基板形成纵式的姿势来高效率地进行基板表面的排液。
专利文献1:日本专利第3042598号
但是,在专利文献1所记载的输送装置中,因为基板的上端部成为自由端(基板的上端部不被保持),所以在基板刚性较低的情况下,在将基板形成纵式的姿势时存在基板挠曲的可能性。另外,在基板的重量比较轻的情况下,因输送辊之间的微小的阶差等,存在基板松动地被输送并从输送辊断续地分离的担忧。在该情况下,基板与输送辊的接触未适当进行,存在无法以稳定的速度输送的情况。这样的问题点并不限于方形基板,即使是圆形基板也会同样产生。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的。其目的在于,抑制基板(被处理物)的挠曲,并且稳定地输送被处理物。
根据本发明的一个方式,提供一种处理装置。该处理装置具有:输送部,在被处理物的平面相对于水平绕输送方向轴倾斜的状态下输送上述被处理物;以及处理部,对上述被处理物的上述平面,执行研磨及清洗中的至少一个。上述输送部具有:驱动部,构成为与上述被处理物的端部物理地接触来对上述被处理物施加输送方向的力;第一伯努利吸盘,与上述被处理物的上述平面对置配置;以及第二伯努利吸盘,与和上述被处理物的上述端部相反侧的端部的端面对置配置。
根据本发明的一个方式,提供一种输送装置,在被处理物的平面相对于水平绕输送方向轴倾斜的状态下输送上述被处理物。该输送装置具有:驱动部,构成为与上述被处理物的端部物理地接触来对上述被处理物施加输送方向的力;第一伯努利吸盘,与上述被处理物的上述平面对置配置;以及第二伯努利吸盘,与和上述被处理物的上述端部相反侧的端部的端面对置配置。
根据本发明的一个方式,提供一种处理方法。该处理方法具有:在被处理物的平面相对于水平绕输送方向轴倾斜的状态下输送上述被处理物的工序;以及对上述被处理物的上述平面,执行研磨及清洗中的至少一个的工序。上述输送的工序具有:对上述被处理物的端部物理地施加输送方向的力的工序;通过第一伯努利吸盘保持上述被处理物的上述平面以便限制上述被处理物的厚度方向的移动的工序;以及通过第二伯努利吸盘保持上述被处理物的与上述端部相反侧的端部的端面以便限制与上述输送方向正交的上述被处理物的面内方向的移动的工序。
附图说明
图1是具备本实施方式的处理装置的电镀装置的整体配置图。
图2是清洗装置的简要侧剖视图。
图3A是输送部的侧视图。
图3B是图3A的箭头A-A的输送部的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





