[发明专利]包含存储器单元的设备及其操作方法

说明书

本发明揭示一种包含存储器元件及选择器装置的存储器单元。可使用具有第一极性的编程脉冲编程所述存储器单元及使用具有第二极性的读取脉冲读取所述存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。所述存储器单元可展现减小电压漂移及/或阈值电压分布。本发明描述一种充当存储器元件及选择器装置两者的存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。

背景技术

传统存储器单元包含存储器元件(其用于存储逻辑状态)及选择器装置。在具有交叉点架构的存储器阵列中，存储器元件及选择器装置可位于第一存取线(例如字线)及第二存取线(例如位线)的交叉点处。在一些架构中，选择器可耦合到字线且存储器元件可耦合到位线。在一些架构中，存储器元件可为相变材料。存储器元件可编程为可对应于两种逻辑状态(例如‘0’及‘1’)的两种可检测状态(例如设置及复位)中的一者。在一些架构中，两种状态可由存储器单元的阈值电压区分。

阈值电压可取决于存储器元件及选择器装置的状态。选择器装置可减少泄漏电流且允许选择单个存储器元件用于读取数据及/或写入数据。然而，选择器装置的阈值电压会随时间漂移。例如，选择器装置可具有阈值电压无偏漂移，其可引起选择器装置的阈值电压随时间不断增大。选择器装置的阈值电压的不稳定性会引起整个存储器单元的阈值电压的不稳定性。存储器单元的阈值电压的不稳定性会使确定编程到存储器单元的状态变得更困难或不可能。

发明内容

根据本发明的原理的实例设备可包含：存储器单元，其可包含存储器元件及电耦合到所述存储器元件的选择器装置；第一存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；第二存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；第一存取线驱动器，其耦合到所述第一存储器存取线；第二存取线驱动器，其耦合到所述第二存储器存取线；及控制逻辑，其可经配置以控制所述第一存取线驱动器及所述第二存取线驱动器执行以下操作：提供编程脉冲，其中横跨所述存储器单元提供呈第一极性的所述编程脉冲的至少一部分以将逻辑状态编程到所述存储器元件；及横跨所述存储器单元提供呈第二极性的读取脉冲以确定所述存储器元件的所述逻辑状态。

根据本发明的原理的另一实例设备可包含：存储器单元，其包含存储元件；第一存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；第二存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；第一存取线驱动器，其耦合到所述第一存储器存取线；第二存取线驱动器，其耦合到所述第二存储器存取线；及控制逻辑，其可经配置以控制所述第一存取线驱动器及所述第二存取线驱动器执行以下操作：横跨所述存储器单元提供具有第一部分及第二部分的编程脉冲以将逻辑状态编程到所述存储元件；及横跨所述存储器单元提供呈第一极性的读取脉冲以确定所述存储器单元的所述逻辑状态。

根据本发明的原理的实例方法可包含：横跨存储器单元施加呈第一极性的编程脉冲，其中所述编程脉冲经配置以将逻辑状态编程到所述存储器单元的存储器元件；及横跨所述存储器单元施加呈第二极性的读取脉冲，其中所述读取脉冲经配置以确定所述存储器元件的所述逻辑状态。

根据本发明的原理的另一实例方法可包含：横跨存储器单元施加呈第一极性的编程脉冲的第一部分；横跨所述存储器单元施加呈第二极性的编程脉冲的第二部分；及横跨所述存储器单元施加呈所述第一极性的读取脉冲，其中所述读取脉冲经配置以确定所述存储器单元的逻辑状态。

附图说明

图1是存储器阵列的阈值电压分布及漂移的电压图。

图2A是根据本发明的实施例的存储器的框图。

图2B是根据本发明的实施例的存储器阵列的框图。

图3是根据本发明的实施例的存储器阵列的部分的示意图。

图4是根据本发明的实施例的存储器阵列的部分的示意图。

图5是根据本发明的实施例的存储器阵列的部分的示意图。