[发明专利]包含存储器单元的设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

存储器单元，其包括经配置以既作为选择器装置又作为存储器元件的存储元件；

第一存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；

第二存储器存取线，其耦合到所述存储器单元；

第一存取线驱动器，其耦合到所述第一存储器存取线；

第二存取线驱动器，其耦合到所述第二存储器存取线；及

控制逻辑，其经配置以控制所述第一存取线驱动器及所述第二存取线驱动器执行以下操作：

提供编程脉冲，其包括第一部分及第二部分，其中所述第一部分具有量值及持续时间，并且所述第一部分经配置以促进所述存储器单元的稳定性、对具有与所述存储器单元不同类型的第二存储器单元进行编程或者向耦合到所述存储器单元的组件提供控制信号，并且所述第二部分具有经配置以将第一逻辑状态写入所述存储器单元的第一极性或具有经配置以将第二逻辑状态写入所述存储器单元的第二极性，所述第二极性与所述第一极性相反；以及

横跨所述存储器单元提供呈所述第一极性或所述第二极性的读取脉冲以确定是所述第一逻辑状态还是所述第二逻辑状态被编程在所述存储器单元中。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述量值是电流量值或电压量值。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分呈所述第二极性。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分包括多个量值，其中所述量值是电流量值或电压量值。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分的所述持续时间比所述第二部分的持续时间长。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一部分的所述量值比所述第二部分的量值大，其中所述量值是电流量值或电压量值。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述选择器装置包括硫族化合物材料。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括存储器阵列，所述存储器阵列包含多个存储器单元及耦合到所述多个存储器单元的至少部分的多个存储器存取线，其中所述存储器单元是所述多个存储器单元中的一者且所述第一存储器存取线及所述第二存储器存取线各自为所述多个存储器存取线中的一者，其中所述存储器阵列是二维2D阵列或三维3D阵列。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器阵列包含耦合到所述控制逻辑及所述多个存储器存取线的至少部分的解码器，其中所述解码器是对称的。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述存储器阵列包含耦合到所述控制逻辑及所述多个存储器存取线的至少部分的解码器，其中所述解码器是非对称的。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分包含斜坡、阶梯及多个脉冲中的至少一者。

12.一种用于操作存储器装置的方法，其包括：

横跨存储器单元施加编程脉冲，所述存储器单元包括经配置以既作为选择器装置又作为存储器元件的存储元件，其中所述编程脉冲经配置以将逻辑状态编程到所述存储器单元的所述存储元件，所述编程脉冲包括第一部分及第二部分，并且其中：

所述第一部分具有量值及持续时间，并且所述第一部分经配置以促进所述存储器单元的稳定性、对具有与所述存储器单元不同类型的第二存储器单元进行编程或者向耦合到所述存储器单元的组件提供控制信号，并且

所述第二部分具有经配置以将第一逻辑状态写入所述存储器单元的第一极性或具有经配置以将第二逻辑状态写入所述存储器单元的第二极性，所述第二极性与所述第一极性相反；及

横跨所述存储器单元施加呈所述第一极性或所述第二极性的读取脉冲，其中所述读取脉冲经配置以确定是所述第一逻辑状态还是所述第二逻辑状态被编程在所述存储器单元中。