[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池

说明书

本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在某个示例中，太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区设置在所述背表面的第一部分中。第一薄介电层，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上方，其中所述第一薄介电层的一部分设置在所述第一导电类型的所述第一掺杂区上方。第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一薄介电层上方。第二导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区在所述第一半导体层中，其中所述第二掺杂区设置在所述背表面的第二部分上方。

背景技术

光伏(PV)电池(常称为太阳能电池)是用于将太阳辐射转化为电能的装置。一般来讲，照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型掺杂区和n型掺杂区，从而在掺杂区之间形成电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。当将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时，从所有的PV电池收集的电能可以按串联和并联布置加以组合，以提供具有某一电压和电流的电源。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1为根据一些实施例的流程图，该流程图列出对应于图2-10的太阳能电池的制造方法中的操作。

图2-9示出了根据一些实施例的太阳能电池的制造中各个阶段的剖视图。

图10示出了根据一些实施例的由图1-9的方法形成的示例性太阳能电池的剖视图。

具体实施方式

以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其他实施方式是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“某个实施例”。短语“在一个实施例中”或“在某个实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。

“配置为”。各个单元或部件可描述或声明成“配置为”执行一项或多项任务。在此类语境下，“配置为”用于通过指示所述单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将所述单元/部件配置成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”掺杂区不一定意味着该掺杂区在某一序列中；相反，术语“第一”用于区分该掺杂区与太阳能电池的另一掺杂区(例如，“第二”掺杂区)。在一个示例中，第一掺杂区可为P型掺杂区，而第二掺杂区可为N型掺杂区。在一些示例中，第一掺杂区可以设置在半导体基板的一部分中(例如，太阳能电池的硅基板)。在一个示例中，第二掺杂区可以设置在半导体层中(例如，多晶硅层、非晶硅层等)，该半导体层设置在半导体基板上方。