[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板，所述基板具有光接收表面和背表面，其中，所述基板包括在所述基板的背表面处的第一部分和第二部分，并且所述第一部分包括具有第一导电类型的第一掺杂区；

设置在所述第一掺杂区上方的掺杂物区；

第一薄介电层，所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面上方，其中所述第一薄介电层的第一部分设置在所述掺杂物区和所述具有第一导电类型的第一掺杂区上方，并且其中所述第一薄介电层的第二部分设置在所述基板的所述第二部分上；

第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一薄介电层上方，其中所述第一半导体层的第一部分设置在所述第一薄介电层的第一部分上方，并且其中所述第一半导体层的第二部分是具有第二导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区设置在所述第一薄介电层的第二部分上方，使得所述第一掺杂区形成在所述基板的背表面处的第一部分中并且第二掺杂区形成在所述基板的背表面处的第二部分上方，其中，所述第二掺杂区不与所述第一掺杂区横向交叠；

第一导电触点，所述第一导电触点设置在所述第一掺杂区上方；以及

第二导电触点，所述第二导电触点设置在所述第二掺杂区上方。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述基板包含单晶硅基板。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一导电类型为P型，并且所述第二导电类型为N型。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一薄介电层包含隧道氧化物。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括设置在所述第一掺杂区和所述第一导电触点之间的接触开口，其中所述接触开口允许所述第一掺杂区和所述第一导电触点之间的电连接。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一半导体层包含多晶硅。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括设置在所述光接收表面上的第二半导体层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中所述第二半导体层包含多晶硅。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二掺杂区的最低面与所述第一掺杂区的最高面竖直地间隔开。

10.一种太阳能电池，包括：

基板，所述基板具有光接收表面和背表面，其中，所述基板包括在所述基板的所述背表面处的第一部分和第二部分，并且所述第一部分包括具有第一导电类型的第一掺杂区；

掺杂物区，所述掺杂物区在所述第一掺杂区上方；

第一薄介电层，所述第一薄介电层设置在所述基板的背表面上方，其中所述第一薄介电层的第一部分设置在所述掺杂物区和所述具有第一导电类型的第一掺杂区上方，并且其中所述第一薄介电层的第二部分设置在所述基板的第二部分上；

第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一薄介电层上方，所述第一半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一半导体层的第一部分设置在所述第一薄介电层的第一部分上方，其中所述第一半导体层的第二部分是具有第二导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区设置在所述第一薄介电层的第二部分上方并且与所述第一半导体层的第一部分分离，使得所述第一掺杂区形成在所述基板的背表面处的第一部分中并且第二掺杂区形成在所述基板的背表面处的第二部分上方，其中，所述第二掺杂区不与所述第一掺杂区横向交叠；

第一导电触点，所述第一导电触点设置在所述第一掺杂区上方；以及

第二导电触点，所述第二导电触点设置在所述第二掺杂区上方。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述基板包括单晶硅基板。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述第一导电类型为P型，并且所述第二导电类型为N型。