[发明专利]集成发射率传感器的对准特性在审
申请号: | 201780057140.4 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN109716496A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 约翰·巴格特;约瑟夫·费拉拉 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01N21/95;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 刘新宇;寿宁 |
地址: | 美国马萨诸*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工件支撑件 控制器 发光器 发射率 受光器 透射率 支轴 工件对准 工件旋转 光束透过 外围区域 旋转位置 旋转装置 支撑工件 透射量 传感器 对准 | ||
本发明的工件对准系统具有用来支撑工件的工件支撑件。第一发光器朝向工件引导第一光束。第一受光器接受第一光束。旋转装置使工件支撑件绕支轴旋转。第二发光器朝向工件的外围区域引导第二光束。在工件旋转的同时,第二受光器接受第二光束。控制器基于第一光束的总初始发射率和第一光束透过工件的透射量来确定工件透射率。控制器至少部分基于工件的旋转位置、所接受的第二光束的一部分和所确定的透射率来确定工件相对于支轴的位置。
本申请要求名称为“INTEGRATED EMISSIVITY SENSOR ALIGNMENTCHARACTERIZATION”、申请日为2016年9月30日、序列号为15/281,757的美国专利申请的权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明总体上涉及工件处理系统以及处理工件的方法,更具体涉及一种用于处置并对准光透射不同的工件的系统和方法。
背景技术
在半导体处理中,可对单个工件或半导体晶片执行许多操作。一般而言,每个对工件的处理操作通常按特定顺序执行,其中每个操作等待到完成前一操作。在许多处理操作中,需要工件的特定取向和/或了解工件相对于工件保持器的位置,以便适当地处理或处置工件。例如,诸如在运送载体或存储盒与处理系统之间交换工件以及通过一个或多个装载锁定腔室将工件从大气环境转移到处理系统的处理腔室的抽空环境中等操作可能需要特定的取向或了解工件的空间位置,以便适当地处置并处理工件。
工件取向(例如,凹口对准)可在抽空环境或大气环境中经由光存在传感器来执行,凭此由发光器发射光束并且朝向工件引导光束,同时使工件旋转。然后,由受光器所接受的光的变化能够用于确定工件中界定的凹口的位置和/或工件位置的偏心率,这取决于完全或部分接受光的方式。Hiroaki Saeki的第5,740,034号美国专利已揭示一种这样的系统,其中利用与所接受的光信号相关联的波形来确定工件的凹口位置和/或偏心位置。
常规上,这样经由光存在传感器来定位足以精确地确定对所发射的光不透光的工件的位置,诸如在常规的硅衬底中。然而,当在相同的处理系统中进行处理的衬底或工件在材料上互不相同时(例如,硅与碳化硅),使用常规的光存在传感器和对准器可能导致定位中的各种误差,特别是当衬底对所发射的光部分透光时。例如,使用常规的对准系统和方法,从一个衬底到另一个衬底的透射差异可能导致定位中的显著误差。工件到工件的透射率和发射率能够随特定工件上部署的选区、厚度和涂层而变化。照此,当从一种工件类型变成另一种工件类型(或从一种涂层变成另一种涂层)时,常规的对准系统无法提供足够的定位数据,除非对该对准系统本身作出显著更改,例如更改从中发射的光的波长。
发明内容
本发明通过提供一种用于精确地确定具有各种发射率和/或透射率的工件的位置的系统、设备和方法而有利地克服现有技术中的局限性,从而尽量减少系统相关的所有成本。更特定而言,本发明提供一种用于有利地确定工件的透射率并利用该透射率作为对准设备的输入的系统和方法,凭此基于透射率来调整与对准设备相关联的信号。因此,本发明提供一种针对实践中任何衬底材料和厚度的定位方案,而无需考虑衬底的各种涂层或性质。
据此,下文提出本发明的简要发明内容,提供对本发明某些方面的基本理解。本发明内容并非本发明的详尽综述。既非旨在确定本发明的关键或主要元素,亦非限定本发明的范围。其目的在于,以简化形式呈现本发明的某些构思,作为下文具体实施方式的引言。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造