[发明专利]集成发射率传感器的对准特性在审
申请号: | 201780057140.4 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN109716496A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 约翰·巴格特;约瑟夫·费拉拉 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01N21/95;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 刘新宇;寿宁 |
地址: | 美国马萨诸*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 工件支撑件 控制器 发光器 发射率 受光器 透射率 支轴 工件对准 工件旋转 光束透过 外围区域 旋转位置 旋转装置 支撑工件 透射量 传感器 对准 | ||
1.一种工件对准系统,包括:
第一发光设备,其配置成沿第一路径朝向与工件相关联的工件平面的第一侧引导第一光束;
第一受光设备,其沿第一路径定位并配置成在工件平面的第二侧上接受第一光束,其中,所述第二侧与所述第一侧相反;
工件支撑件,其配置成沿工件平面选择性支撑工件;
旋转装置,其可操作地耦接至工件支撑件并配置成选择性使工件支撑件绕支轴旋转;
第二发光设备,其定位于工件平面的第一侧和第二侧中的一侧上并配置成沿第二路径引导第二光束,其中,所述第二路径与工件的外围区域相关联;
第二受光设备,其配置成在工件支撑件旋转的同时接受第二光束;以及
控制器,其配置成当工件与第一路径完全相交时,基于出自第一发光设备的第一光束的总初始发射率以及由第一受光设备透过工件所接受的第一光束的透射量,确定工件透射率,且其中,所述控制器进一步配置成当工件被支撑并经由工件支撑件旋转时,确定工件相对于支轴的位置,其中,确定工件的位置至少部分是基于工件支撑件的旋转位置、与工件支撑件的旋转位置相关联的由第二受光设备所接受的第二光束的至少一部分以及工件透射率。
2.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,当工件支撑于工件支撑件上时,所述第一路径穿过工件的中央区域。
3.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,当工件未支撑于工件支撑件上时,所述第一路径穿过工件的中央区域。
4.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述第一发射设备和所述第二发射设备配置成发射等效波长的光。
5.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述工件的位置包括工件中心沿工件平面距支轴的二维偏位。
6.如权利要求5所述的工件对准系统,其中,所述工件的位置进一步包括工件绕支轴的旋转位置。
7.如权利要求6所述的工件对准系统,其中,所述工件绕支轴的旋转位置与工件的边缘特征相关联,且其中,所述控制器进一步配置成基于工件的边缘特征来确定工件相对于支轴的位置。
8.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述控制器配置成确定第一波形,其中,所述第一波形通过由第二接受器在工件支撑件的多个旋转位置所接受的第二光束的至少一部分来限定,且其中,所述控制器进一步配置成基于所述第一波形来确定所述工件相对于支轴的位置。
9.如权利要求8所述的工件对准系统,其中,所述控制器进一步配置成基于工件透射率来配比第一波形。
10.如权利要求8所述的工件对准系统,其中,所述控制器配置成基于工件透射率来缩放由第二接受器在工件支撑件的多个旋转位置所接受的第二光束的至少一部分。
11.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述第一光束的至少一部分限定为占第一光束的总初始发射率的一定百分比。
12.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述第一路径与工件的中央区域相关联,且其中,所述工件的中央区域拦截指向工件表面的第一光束整体。
13.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述第一发光设备定位成使得第一路径在物理上完全被工件遮挡。
14.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,所述支轴垂直于所述工件平面。
15.如权利要求1所述的工件对准系统,其中,单个发光设备包括第一发光设备和第二发光设备,且其中,单个受光设备包括第一受光设备和第二受光设备,其中,所述第一路径与所述第二路径共线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克塞利斯科技公司,未经艾克塞利斯科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780057140.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造