[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法

说明书

根据本发明一种实施方式的激光照射装置(1)具有：生成激光束的激光生成装置(14)；使待由所述激光束照射的工件(16)浮起的浮起单元(10)；以及对所述已浮起工件(16)进行传送的传送单元(11)。所述传送单元(11)在不与所述激光束的照射位置(15)交叠的位置处将所述工件(16)保持于其上的同时，对该工件(16)进行传送。采用本发明一种实施方式的激光照射装置(1)可减小激光束的不均匀照射。

技术领域

本发明涉及激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法。举例而言，本发明涉及一种设有传送工件的传送单元的激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法。

背景技术

一种已知激光退火装置通过以激光束照射形成于硅片、玻璃基片等物之上的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1公开一种激光退火装置，该装置在利用浮起单元使基片浮起的同时以传送单元传送该基片，并以激光束对该基片进行照射。专利文献2公开一种通过以激光束照射待加工物体而对该物体进行加工的激光加工装置。

引用列表

专利文献

专利文献1：公开号为2002-231654的日本专利申请

专利文献2：公开号为2009-10161的日本专利申请

发明内容

技术问题

在专利文献1所公开的技术中，在利用浮起单元使基片浮起的同时以传送单元传送该基片，并以激光束对该基片进行照射。在以传送单元传送基片的过程中，该基片保持于传送单元上。在传送单元对基片的保持位置处，应力在基片传送过程中从传送单元传递至基片，从而使得基片可能发生挠曲。如此，在如专利文献1所公开技术中所述，传送单元经过激光束照射位置的情形中，由于基片在传送单元对基片的保持位置附近发生挠曲，因此基片脱离激光束的焦深(DOF:Depth of Focus)，导致激光束对基片照射不均的问题。

根据本说明的描述以及附图，其他问题及新颖特征将变得容易理解。

解决问题的技术手段

一种实施方式的激光照射装置包括对工件进行传送的传送单元。该传送单元在不与激光束照射位置交叠的位置处将所述工件保持于其上的同时，对该工件进行传送。

本发明的有益效果

上述实施方式可提供一种能够减小激光束的不均匀照射的激光照射装置、激光照射方法及半导体器件制造方法。

附图说明

图1为比较例激光照射装置平面图。

图2为图1所示激光照射装置沿切割线II-II的剖视图。

图3为比较例激光照射装置另一结构的平面图。

图4为第一实施方式激光照射装置平面图。

图5为图4所示激光照射装置沿切割线V-V的剖视图。

图6为图4所示激光照射装置沿切割线VI-VI的剖视图。

图7A为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图7B为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图7C为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图7D为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图7E为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图7F为第一实施方式激光照射装置所实施的操作的平面图。

图8为第一实施方式激光照射装置另一例示结构的平面图。