[发明专利]银被覆合金粉末、导电性糊剂、电子部件及电气装置

权利要求书

1.一种银被覆合金粉末，其在含有铜、镍、锌和不可避免的杂质的合金核颗粒的表面上具有含银的被覆层，

所述银被覆合金粉末的TAP密度相对于真密度的比率除以D₅₀得到的值(TAP密度/(真密度×D₅₀))为0.223以上，

所述D₅₀是所述银被覆合金粉末的利用激光衍射式粒度分布测定装置测定得到的以体积基准计累积50％的粒径，TAP密度和真密度的单位为g/cm³，D₅₀的单位为μm，

其中，所述合金核颗粒中的铜、镍和锌的总计100质量％中，铜的比例为40～95质量％，镍的比例为4～40质量％，锌的比例为1～30质量％。

2.根据权利要求1所述的银被覆合金粉末，其中，所述以体积基准计累积50％的粒径(D₅₀)为0.1～10μm。

3.根据权利要求1或2所述的银被覆合金粉末，其中，所述银被覆合金粉末的利用BET单点法测定得到的比表面积为0.08～1.0m²/g。

4.根据权利要求1或2所述的银被覆合金粉末，其中，所述银被覆合金粉末的TAP密度为3.0～7.5g/cm³。

5.根据权利要求1或2所述的银被覆合金粉末，其中，所述银被覆合金粉末中的银的质量比例为1～40质量％。

6.根据权利要求1或2所述的银被覆合金粉末，其中，所述银被覆合金粉末的氧量为0.05～0.45质量％。

7.根据权利要求1或2所述的银被覆合金粉末，其中，所述银被覆合金粉末在其颗粒表面上具有由表面处理剂构成的表面处理层。

8.根据权利要求7所述的银被覆合金粉末，其中，所述表面处理剂为选自由碳原子数1～32的饱和或不饱和脂肪酸、碳原子数1～32的饱和或不饱和胺以及成环原子数5～12的杂环化合物组成的组中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的银被覆合金粉末，其中，对于构成所述银被覆合金粉末的任意20个颗粒，针对C元素和Ag元素进行能量色散型X射线分析(EDS)时，若在对于所述20个颗粒得到的针对C元素和Ag元素的各EDS光谱中，将C元素的光谱的积分值设为I_c，将Ag元素的光谱的积分值设为I_Ag，则它们的比率(I_c/I_Ag)的标准偏差为0.010～0.040的范围内。

10.一种权利要求1～9中任一项所述的银被覆合金粉末的制造方法，其具有：

银被覆工序，其在含有铜、镍、锌和不可避免的杂质的合金核颗粒的表面上形成含银的被覆层以生成银被覆合金粉末；

表面处理工序，其通过湿式方式用表面处理剂对所述银被覆合金粉末进行处理以生成经表面处理的银被覆合金粉末；以及，

破碎工序，其将所述经表面处理的银被覆合金粉末强力破碎，

在所述破碎工序中，以圆周速度30m/s以上的速度对所述经表面处理的银被覆合金粉末进行破碎，所述圆周速度(m/s)与破碎时间(秒)的乘积为2000m～3520m。

11.根据权利要求10所述的银被覆合金粉末的制造方法，其中，所述表面处理剂为选自由碳原子数1～32的饱和或不饱和脂肪酸、碳原子数1～32的饱和或不饱和胺以及成环原子数5～12的杂环化合物组成的组中的至少一种。

12.一种导电性糊剂，其含有权利要求1～9中任一项所述的银被覆合金粉末和固化性树脂。

13.根据权利要求12所述的导电性糊剂，其中，所述导电性糊剂中的银被覆合金粉末的含量为50～98质量％。