[发明专利]半导体制造装置用部件的制造方法和半导体制造装置用部件

说明书

降低接合温度、且抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件的制造方法包括如下工序：准备由以AlN为主成分的材料形成的第1陶瓷构件的工序；准备由以AlN为主成分的材料形成的第2陶瓷构件的工序；和，在第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间，以夹设有包含Eu₂O₃、Gd₂O₃和Al₂O₃的接合剂的状态进行加热加压，从而将第1陶瓷构件与第2陶瓷构件接合的工序。

技术领域

本说明书中公开的技术涉及半导体制造装置用部件的制造方法。

背景技术

作为半导体制造装置用部件，使用有基座(加热装置)。基座例如具备：内部具有加热器的板状的陶瓷制的保持构件；配置于保持构件的一面侧的圆筒状的陶瓷制的支撑构件；和，配置于保持构件与支撑构件之间、且用于接合保持构件的一个面与支撑构件的一个面的接合层。在保持构件的与一个面相反侧的保持面配置有晶片。对于基座，利用通过对加热器施加电压而产生的热，对配置于保持面的晶片进行加热。

保持构件和支撑构件有时由以导热率较高的AlN(氮化铝)为主成分的材料形成。而且，作为具备这样的以AlN为主成分的保持构件和支撑构件的基座的制造方法，已知有如下方法：将包含Ca(钙)的接合剂以夹设于保持构件与支撑构件之间的状态进行加热加压，从而将保持构件和支撑构件接合(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-345952号公报

发明内容

发明要解决的问题

上述基座的制造方法中，可以在1600(℃)那样的低的接合温度下，将保持构件和支撑构件接合。然而，由于使用包含Ca的接合剂，因此，有例如包含Ca的产物以异物的形式混入晶片等的担心。因此，已知有使用包含Gd(钆)代替Ca的接合剂的基座的制造方法，与使用包含Ca的接合剂的情况相比，接合温度高，因此，期望进一步的改善。

需要说明的是，这样的课题不限定于构成基座的保持构件和支撑构件的接合，例如构成静电卡盘等保持装置的陶瓷构件彼此的接合中也为相同的课题。另外，这样的课题不限定于保持装置，例如构成喷头等半导体制造装置用部件的陶瓷构件彼此的接合中为相同的课题。

本说明书中，公开了能解决上述课题的技术。

用于解决问题的方案

本说明书中公开的技术例如可以以以下的方式实现。