[发明专利]用于减小的泄漏电流和提高的去耦电容的标准单元架构

权利要求书

1.一种标准单元集成电路(IC)，包括：

多个p型金属氧化物半导体(MOS)(pMOS)晶体管，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管具有pMOS晶体管漏极、pMOS晶体管源极和pMOS晶体管栅极，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极耦接到第一电压源，所述多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管栅极由多个pMOS栅极互连中的pMOS栅极互连形成，所述pMOS栅极互连中的每一个在第一方向上延伸、并且耦接到所述第一电压源，其中所述pMOS栅极互连中的一个或多个pMOS栅极互连连接到沿着所述一个或多个pMOS栅极互连延伸的金属层一互连，以用于耦接到所述第一电压源；以及

多个n型MOS(nMOS)晶体管，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管具有nMOS晶体管漏极、nMOS晶体管源极和nMOS晶体管栅极，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极耦接到比所述第一电压源低的第二电压源，所述多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管栅极由多个nMOS栅极互连中的nMOS栅极互连形成，所述nMOS栅极互连中的每一个在所述第一方向上延伸、并且耦接到所述第二电压源，其中所述nMOS栅极互连中的一个或多个nMOS栅极互连连接到沿着所述一个或多个nMOS栅极互连延伸的金属层一互连，以用于耦接到所述第二电压源。

2.根据权利要求1所述的标准单元IC，进一步包括：

第一接触互连，在正交于所述第一方向的第二方向上延伸、并且将所述pMOS栅极互连耦接在一起，所述第一接触互连耦接到所述第一电压源；以及

第二接触互连，在所述第二方向上延伸、并且将所述nMOS栅极互连耦接在一起，所述第二接触互连耦接到所述第二电压源。

3.根据权利要求2所述的标准单元IC，其中所述多个pMOS栅极互连中的每个pMOS栅极互连与所述多个nMOS栅极互连中的一个nMOS栅极互连在所述第一方向上分离并且共线。

4.根据权利要求2所述的标准单元IC，其中所述标准单元IC具有n个栅格，所述栅格之间具有间距p，并且所述标准单元IC的宽度为n*p，所述栅格在所述第一方向上延伸，并且其中所述多个pMOS晶体管包括n-3个晶体管，并且所述多个nMOS晶体管包括n-3个晶体管，所述标准单元IC进一步包括：

第一虚拟栅极互连，与所述标准单元IC的第一侧相邻、并且在所述第一方向上跨所述标准单元IC延伸，所述第一虚拟栅极互连浮置并且所述第一侧沿所述第一方向延伸；以及

第二虚拟栅极互连，与所述标准单元IC的第二侧相邻、并且在所述第一方向上跨所述标准单元IC延伸，所述第二虚拟栅极互连浮置并且所述第二侧沿所述第一方向延伸。

5.根据权利要求4所述的标准单元IC，其中所述第一接触互连和所述第二接触互连在所述第一虚拟栅极互连与所述第二虚拟栅极互连之间在所述第二方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的标准单元IC，其中所述标准单元IC具有n个栅格，所述栅格之间具有间距p，并且所述标准单元IC的宽度为n*p，所述栅格在所述第一方向上延伸，并且其中所述多个pMOS晶体管包括n-1个晶体管，并且所述多个nMOS晶体管包括n-1个晶体管。