[发明专利]层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法、导电性基板的制造方法

权利要求书

1.一种层叠体基板，包括：

透明基材；以及

层叠体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

其中，所述层叠体包括

由选自由Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Fe、Co、Mo、V、W构成的金属组的一种以上的金属构成、或者由以选自所述金属组的一种以上的金属为主成分的合金构成的基底金属层；

配置在所述基底金属层上，并且含有氧、铜及镍的第一黑化层；以及

铜层，

所述第一黑化层中所包含的金属成分之中的镍的比率为20质量％以上70质量％以下，

所述基底金属层的厚度为1.5nm以上5nm以下，

所述基底金属层由Cu、Ni-Cu合金、包含7质量％以下的Cr的Ni-Cr合金中的任意一者构成。

2.根据权利要求1所述的层叠体基板，其中，

所述层叠体还包括第二黑化层，

所述铜层配置在所述第一黑化层与所述第二黑化层之间，

所述第二黑化层含有氧及铜，

所述第二黑化层中的金属成分之中的镍的比率为0质量％以上70质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体基板，其中，所述层叠体基板的波长400nm以上700nm以下的光的镜面反射率的平均值为55％以下。

4.一种导电性基板，包括：

透明基材；以及

金属细线，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

其中，所述金属细线为层叠体，所述层叠体包括

由选自由Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Fe、Co、Mo、V、W构成的金属组的一种以上的金属构成、或者由以选自所述金属组的一种以上的金属为主成分的合金构成的基底金属配线层；

配置在所述基底金属配线层上，并且含有氧、铜及镍的第一黑化配线层；以及

铜配线层，

所述第一黑化配线层中所包含的金属成分之中的镍的比率为20质量％以上70质量％以下，

所述基底金属配线层的厚度为1.5nm以上5nm以下，

所述基底金属配线层由Cu、Ni-Cu合金、包含7质量％以下的Cr的Ni-Cr合金中的任意一者构成。

5.根据权利要求4所述的导电性基板，其中，

所述金属细线还包括第二黑化配线层，

所述铜配线层配置在所述第一黑化配线层与所述第二黑化配线层之间，

所述第二黑化配线层含有氧及铜，

所述第二黑化配线层中的金属成分之中的镍的比率为0质量％以上70质量％以下。

6.根据权利要求4或5所述的导电性基板，其中，

在所述金属细线之间设置有露出所述透明基材的开口部，

所述开口部的波长400nm以上700nm以下的光的透射率的平均值的自所述透明基材的波长400nm以上700nm以下的光的透射率的平均值的减少率为3.0％以下。

7.一种层叠体基板的制造方法，包括：

准备透明基材的透明基材准备工序；以及

在所述透明基材的至少一个面侧形成层叠体的层叠体形成工序，

其中，所述层叠体形成工序包括

利用用于堆积由选自由Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Fe、Co、Mo、V、W构成的金属组的一种以上的金属构成、或者由以选自所述金属组的一种以上的金属为主成分的合金构成的基底金属层的基底金属层成膜手段形成基底金属层的基底金属层形成步骤；

利用用于堆积含有氧、铜及镍的第一黑化层的第一黑化层成膜手段在基底金属层上形成第一黑化层的第一黑化层形成步骤；以及

利用用于堆积铜层的铜层成膜手段形成铜层的铜层形成步骤，

所述基底金属层形成步骤及第一黑化层形成步骤在减压气氛下实施，所述第一黑化层中所包含的金属成分之中的镍的比率为20质量％以上70质量％以下，

所述基底金属层的厚度为1.5nm以上5nm以下，

所述基底金属层由Cu、Ni-Cu合金、包含7质量％以下的Cr的Ni-Cr合金中的任意一者构成。