[发明专利]晶片对准方法和系统

权利要求书

1.一种晶片对准方法，包括：

参考形成于第一晶片上或第一晶片中的第一特征，在所述第一晶片中形成第一枢转凹口、第一止动凹口和第一偏置凹口；

参考形成于第二晶片上或第二晶片中的第二特征，在所述第二晶片中形成第二枢转凹口、第二止动凹口和第二偏置凹口；

将所述第一晶片安装在对准装置中，其中双接触元件进入到所述第一枢转凹口中，且单接触元件进入所述第一止动凹口；

将所述第二晶片安装在所述对准装置中，其中所述双接触元件进入到所述第二枢转凹口中，且所述单接触元件进入所述第二止动凹口；及

将偏置力施加到所述第一偏置凹口的表面和所述第二偏置凹口的表面上，以使所述第一特征与所述第二特征对准。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一特征与所述第二特征对准之后，将所述第一晶片结合到所述第二晶片。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在对准之前将间隔元件固定到所述第一晶片，其中所述第二晶片结合到所述间隔元件。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括至少使用激光切割来形成所述第一枢转凹口和所述第二枢转凹口、所述第一止动凹口和所述第二止动凹口、以及所述第一偏置凹口和所述第二偏置凹口。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一特征和所述第二特征包括图案化阵列或设置于所述图案化阵列中或邻近于所述图案化阵列设置的基准。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏置力由与所述第一偏置凹口的所述表面和所述第二偏置凹口的所述表面接触的弹簧加载式推动器施加。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在施加了所述偏置力之后，所述第一晶片和所述第二晶片围绕由所述双接触元件以及所述第一枢转凹口和所述第二枢转凹口界定的枢转中心枢转，直至所述单接触元件抵靠在所述第一止动凹口和所述第二止动凹口中的每一个的止动表面上为止。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片和所述第二晶片的对准位置由所述第一枢转凹口和所述第二枢转凹口与所述双接触元件的两点接触及所述第一止动凹口和所述第二止动凹口与所述单接触元件的单点接触界定。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一偏置凹口和所述第二偏置凹口分别形成在距所述第一特征和所述第二特征不同的距离处。

10.一种晶片对准系统，包含：

晶片，所述晶片带有凹口，以用于与第二晶片对准，所述晶片包括：

枢转凹口，其通过参考形成于所述晶片上或所述晶片中的特征而形成；

止动凹口，其大致在所述枢转凹口对面，且通过参考形成于所述晶片上或所述晶片中的所述特征而形成；及

偏置凹口，其在所述枢转凹口和所述止动凹口之间在所述晶片的一侧上，且所述偏置凹口位于这样的位置处，在该位置处，施加于所述偏置凹口上的偏置力将促使所述枢转凹口与夹具的双接触对准元件两点接触，且还促使所述止动凹口与所述夹具的单接触对准元件单点接触。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述枢转凹口具有在50度与70度之间的夹角。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述止动凹口具有横向于所述晶片的外部周边定向的止动表面。

13.根据权利要求10所述的系统，其中所述晶片是圆形的，且所述偏置凹口在离所述止动凹口的止动表面30度与40度之间的位置处定位。

14.根据权利要求10所述的系统，其中所述晶片包括玻璃，且其中所述特征包括能够在形成所述凹口期间成像的至少两个基准标记。