[发明专利]铒基耐等离子体陶瓷涂层的非直视性沉积

权利要求书

1.一种涂覆方法，包含：

使用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺在腔室部件的表面上沉积多层堆叠；以及

退火包含所述多层堆叠的所述腔室部件以将所述多层堆叠转化为耐等离子体陶瓷涂层，其中所述耐等离子体陶瓷涂层选自由以下各项组成的群组：

含铒氟化物Y_xEr_yF_z，其中x、y和z被选择使得所述含铒氟化物Y_xEr_yF_z包含高于0摩尔％至低于100摩尔％的YF₃和高于0摩尔％至低于100摩尔％的ErF₃，以及

含铒氟氧化物Y_wEr_xO_yF_z，其中w、x、y和z被选择使得所述含铒氟氧化物Y_wEr_xO_yF_z包含高于0摩尔％至低于100摩尔％的Y₂O₃,YF₃,Er₂O₃和ErF₃中的三者或更多者。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括导管，其中在其上沉积所述耐等离子体陶瓷涂层的所述腔室部件的所述表面包括具有在10:1与200:1之间的深宽比的所述导管的内表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述耐等离子体陶瓷涂层具有零孔隙率。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

在沉积所述多层堆叠之前，使用酸性溶液清洗所述腔室部件的所述表面，所述酸性溶液包含0.1-20体积％盐酸以改进所述耐等离子体陶瓷涂层对所述腔室部件的黏着。

5.如权利要求1所述的方法，其中在300℃-1000℃的温度执行所述退火。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述多层堆叠中的每一层具有0.1nm-100nm的厚度。

7.一种涂覆方法，包含：

使用原子层沉积工艺在腔室部件的表面上沉积多层堆叠，其中所述多层堆叠包含含铒氧化物、含铒氟氧化物、或含铒氟化物中的至少一者，并且其中沉积所述多层堆叠包含：

使用所述原子层沉积工艺沉积第一层，所述第一层由Er₂O₃和ErF₃组成；

使用所述原子层沉积工艺沉积第二层，所述第二层由不同于所述第一层的材料组成，其中所述第二层由Er₂O₃、Al₂O₃、ErF₃、Y₂O₃或YF₃组成；以及

使用所述原子层沉积工艺沉积一层或多层额外层，所述一层或多层额外层中的每一层由Er₂O₃、Al₂O₃、ErF₃、Y₂O₃或YF₃中的一者组成；以及

退火包含所述多层堆叠的所述腔室部件，其中所述退火导致所述第一层、所述第二层和所述一层或多层额外层相互扩散并转化为单层的耐等离子体陶瓷涂层，所述单层包含固态相。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述耐等离子体陶瓷涂层由Er₃Al₅O₁₂组成。