[发明专利]氧化物烧结体以及溅射靶

说明书

一种氧化物烧结体，含有以In₂O₃表示的方铁锰矿相以及以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相。

技术领域

本发明涉及氧化物烧结体以及溅射靶。

背景技术

由于薄膜晶体管(TFT)所使用的无定形(非晶质)氧化物半导体与通用的无定形硅(a-Si)相比具有高载流子迁移率，光学带隙较大，能够在低温下成膜，因此期望将其用于要求大型、高成像清晰度、高速驱动的下一代的显示器或者耐热性低的树脂基板等。

在形成上述氧化物半导体(膜)时，优选采用对溅射靶进行溅射的溅射法。这是由于利用溅射法形成的薄膜与利用离子电镀法或真空蒸镀法、电子束蒸镀法形成的薄膜相比，膜面方向(膜面内)上的成分组成或膜厚等的面内均匀性优良，能够形成与溅射靶成分组成相同的薄膜。

在专利文献1中记载了将氧化物烧结体用作溅射靶，该氧化物烧结体由In、Y以及O构成，Y/(Y+In)的原子浓度为2.0～40原子％且体积电阻率为5×10^-2Ωcm以下。此外，记载了Sn元素的含量为，Sn/(In+Sn+其他的所有金属原子)的原子浓度为2.8～20原子％。

在专利文献2中记载了由In、Sn、Y以及O构成的、Y/(In+Sn+Y)的原子浓度为0.1～2.0原子％的氧化物烧结体以及使用了该氧化物烧结体的溅射靶。

在专利文献3中记载了具有YInO₃与In₂O₃的晶格常数的中间的晶格常数的烧结体以及将该烧结体作为溅射靶使用。

在专利文献4中记载了一种溅射靶，该溅射靶是将含有氧化铟、氧化钇、以及氧化铝或氧化镓的原料进行烧结而得到的、含有A₃B₅O₁₂型石榴石结构的化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平09-209134号公报

专利文献2：日本特开2000-169219号公报

专利文献3：国际公开2010-032432号公报

专利文献4：国际公开2015-098060号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的是提供一种新型的氧化物烧结体及溅射靶。

以往，如专利文献4所记载的那样，认为由氧化钇和氧化镓构成的化合物包含A₃B₅O₁₂型的石榴石相。但是，本发明人锐意研究的结果发现，在以In₂O₃表示的方铁锰矿相为主要成分的氧化物烧结体中，出现的是以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相而并非A₃B₅O₁₂型的石榴石相，从而完成了本发明。

用于解决上述技术问题的方案

根据本发明，提供以下的氧化物烧结体以及溅射靶等。

方案1.一种氧化物烧结体，含有以In₂O₃表示的方铁锰矿相以及以Y₃In₂Ga₃O₁₂表示的石榴石相。

方案2.如方案1所记载的氧化物烧结体，In、Ga以及Y的原子比在以下范围内，