[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780036414.1 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN109314143B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 荒川隆史;高桥茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
第一导电型的漂移层(17)；
第二导电型的基极层(11)及阳极层(21)，形成在所述漂移层的一个表层部；
发射极层(13)，选择性地形成在所述基极层；以及
第二导电型的集电极层(14)和第一导电型的阴极层(22)，形成在所述漂移层的另一个表层部；
所述半导体装置具备半导体衬底(50)，该半导体衬底(50)形成有通过所述发射极层、所述基极层、所述漂移层及所述集电极层而作为IGBT进行动作的IGBT区域(10)，并形成有与所述IGBT区域邻接、通过所述阳极层、所述漂移层及所述阴极层而作为二极管进行动作的二极管区域(20)；
在所述半导体衬底，还在将元件区域包围的外周区域，在所述漂移层的表层部形成被施加与所述阳极层相同电位的电压的第二导电型的保护环(30)，所述元件区域是相邻接地形成有所述IGBT区域和所述二极管区域的区域；
将向与所述半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的所述阴极层与所述保护环之间的距离的最小值设为L、并将所述半导体衬底的厚度设为d时，所述阴极层和所述保护环形成在满足L/d≧1.5且L/d≦6.0的位置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述漂移层中的、至少所述二极管区域的所述漂移层，形成有晶格缺陷层(18)；
所述晶格缺陷层超越所述元件区域而到达所述外周区域的所述漂移层；
以不被所述晶格缺陷层覆盖的所述保护环为对象，将向与所述半导体衬底的表面平行的面进行了投影的情况下的所述阴极层与所述保护环之间的距离的最小值设为L、并将所述半导体衬底的厚度设为d时，所述阴极层和所述保护环形成在满足L/d≧1.5的位置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述阴极层和所述保护环形成在满足L/d≧1.8的位置。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述阴极层和所述保护环形成在满足L/d≧2.0的位置。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述保护环的杂质浓度比所述阳极层的杂质浓度高。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述IGBT区域和所述二极管区域在所述元件区域中交替地以条状排列，在所述元件区域中的所述条状的排列的两端，设有所述IGBT区域。
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