[发明专利]半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780036095.4 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109314146B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 中积诚;西康孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 ph 传感器 生物 以及 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，该制造方法包括：
形成对强酸和强碱表现出强耐性的半导体层的工序，
在所述半导体层上形成导电层的工序，以及
与规定的图案对应地对所述导电层用酸蚀刻液进行蚀刻直至所述半导体层露出，形成第1电极和第2电极的工序，
所述半导体层为尖晶石型的ZnGa2O4。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体层掺杂有载体元素。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体层掺杂有氢。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第1电极及所述第2电极分别为晶体管的源极和漏极。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在190℃以上进行形成所述半导体层的工序。
6.一种pH传感器的制造方法，其具备权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法。
7.一种生物传感器的制造方法，其具备权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法。
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