[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、以及TFT基板的制造方法有效
| 申请号: | 201780035760.8 | 申请日: | 2017-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN109314145B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
| 发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/13;G02F1/1368;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft 基板 具备 扫描 天线 以及 制造 方法 | ||
1.一种TFT基板,其具有电介质基板、和在所述电介质基板上排列的多个天线单位区域,所述TFT基板的特征在于,包含:
发送接收区域,其包含所述多个天线单位区域;以及
非发送接收区域,其位于所述发送接收区域以外的区域,
所述多个天线单位区域分别包括:
TFT,其为被所述电介质基板支撑的TFT,所述TFT包含栅极电极、半导体层、在所述栅极电极与所述半导体层之间形成的栅极绝缘层、与所述半导体层电连接的源极电极以及漏极电极;以及
贴片电极,其与所述TFT的所述漏极电极电连接,
所述贴片电极由与所述栅极电极相同的导电膜形成,
所述多个天线单位区域分别包括从所述漏极电极延伸设置至所述贴片电极上的贴片电极用连接部,
所述栅极绝缘层具有露出所述贴片电极的第一开口部,
从所述电介质基板的法线方向观察时,所述贴片电极位于所述第一开口部的内侧,
所述贴片电极用连接部在所述第一开口部内与所述贴片电极接触。
2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述栅极电极及所述贴片电极的厚度为0.3μm以上3μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,
所述源极电极及所述漏极电极配置在所述栅极绝缘层上。
4.一种扫描天线,其特征在于,包括:
权利要求1至3中任一项所述的TFT基板;
缝隙基板,其以与所述TFT基板相对的方式配置;
液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间;以及
反射导电板,其经由电介质层以与所述缝隙基板的与所述液晶层相反的一侧的表面相对的方式配置,
所述缝隙基板具有:
其它电介质基板、和缝隙电极,所述缝隙电极形成于所述其它电介质基板的所述液晶层侧的表面,
所述缝隙电极具有多个缝隙,所述多个缝隙与所述TFT基板的所述多个天线单位区域中的所述贴片电极对应配置。
5.一种TFT基板,其具有电介质基板、和在所述电介质基板上排列的多个天线单位区域,所述TFT基板的特征在于,包含:
发送接收区域,其包含所述多个天线单位区域;以及
非发送接收区域,其位于所述发送接收区域以外的区域,
所述多个天线单位区域分别包括:
TFT,其为被所述电介质基板支撑的TFT,所述TFT包含栅极电极、半导体层、在所述栅极电极与所述半导体层之间形成的栅极绝缘层、与所述半导体层电连接的源极电极以及漏极电极;以及
贴片电极,其与所述TFT的所述漏极电极电连接,
所述贴片电极由与所述栅极电极相同的导电膜形成,
所述多个天线单位区域的每一个具备贴片电极用连接部,所述贴片电极用连接部从所述漏极电极延伸设置于所述贴片电极上,
所述栅极绝缘层延伸设置在所述贴片电极上,并具有露出所述贴片电极的一部分的第一开口部,
所述贴片电极用连接部配置于所述第一开口部内。
6.根据权利要求5所述的TFT基板,其特征在于,所述栅极电极及所述贴片电极的厚度为0.3μm以上3μm以下。
7.根据权利要求5或6所述的TFT基板,其特征在于,
所述源极电极及所述漏极电极配置在所述栅极绝缘层上。
8.一种扫描天线,其特征在于,包括:
权利要求5至7中任一项所述的TFT基板;
缝隙基板,其以与所述TFT基板相对的方式配置;
液晶层,其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间;以及
反射导电板,其经由电介质层以与所述缝隙基板的与所述液晶层相反的一侧的表面相对的方式配置,
所述缝隙基板具有:
其它电介质基板、和缝隙电极,所述缝隙电极形成于所述其它电介质基板的所述液晶层侧的表面,
所述缝隙电极具有多个缝隙,所述多个缝隙与所述TFT基板的所述多个天线单位区域中的所述贴片电极对应配置。
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