[发明专利]由碳化钨块构成的等离子体设备用部件

说明书

本发明提供一种等离子体的耐蚀性优秀且确保等离子体分布的均匀性，并改善电导率及热导率且简化结构的由碳化钨块构成的等离子体设备用部件及制造方法。该部件及方法涉及一种形成用于进行等离子体处理的反应空间的腔体及处于腔体的内部并与等离子体接触的部件，该部件具有等离子体耐蚀性，且体积电阻率为10³~10^‑6Ωㆍcm的碳化钨块。

技术领域

本发明涉及等离子体设备用部件，更具体地涉及一种对等离子体的耐蚀性高的由碳化钨块构成的等离子体设备用部件。

背景技术

等离子体处理设备在腔体内配置上部电极与下部电极，在下部电极上面搭载半导体晶片、玻璃基板等基板，向两电极之间施加电力。因两电极之间的电场，引发被加速的电子、由电极放出的电子或被加热的电子与处理气体的分子发生电离冲突，由此，发生处理气体的等离子体。在等离子体中的自由基或离子等活性强的基板表面执行所需的精细加工，例如，蚀刻加工。近来，在精细电子元件等的制造中的设计规则逐渐精细化，尤其，在等离子体蚀刻中，要求更高指数的精密度，因而，利用明显高于当前的电力。在该等离子体处理设备中内置有受等离子体影响的边缘环、聚焦环、喷射头等部件。

对于所述边缘环，在电力变高的情况下，通过形成有驻波的波长效果及在电极表面上电场集中至中心部的趋肤效应等，大致在基板上，中心部最大并在边缘部最低，基板上的等离子体分布的不均匀性严重。在基板上等离子体分布不均匀的情况下，等离子体处理不定而造成精细电子元件的品质低下。韩国公开专利第2009-0101129号在基座与边缘部之间设置绝缘体，而谋求了等离子体分布的均匀性。但，所述专利存在如下问题，结构复杂且难以进行绝缘体及边缘部之间的精密的设计。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题为提供一种由碳化钨块构成的等离子体设备用部件，对等离子体的耐蚀性优秀，并确保等离子体分布的均匀性，且改善电导率及热导率，简化结构。

用于解决问题的技术方案

本发明的用于解决问题的由碳化钨块构成的等离子体设备用部件涉及一种形成用于等离子体处理的反应空间的腔体及处于所述腔体的内部并与所述等离子体接触的部件，所述部件由具有等离子体耐蚀性的碳化钨块构成，所述碳化钨具有体积电阻率10³～10^-6Ω·cm。

对于本发明的设备，所述碳化钨块为基于钨及碳而构成的化合物。所述碳化钨块为单一相或复合相。所述单一相包括钨及碳的化学反应计量式相及脱离所述化学反应计量式组成的非化学反应计量式相。所述单一相或复合相包括在所述单一相或复合相添加杂质的固溶体。

对于本发明的优选的设备，所述部件为在边缘环、聚焦环或喷射头中所选择的任一个。所述部件为按压安置在基座的基板的外缘的边缘环，所述等离子体的分布脱离所述基板的外缘而被扩展。优选地，所述部件具有临界厚度0.3mm。所述部件为被烧结的块(bulk)。所述部件为物理气相沉积或化学气相沉积的块(bulk)。

发明的效果

根据本发明的由碳化钨块构成的等离子体设备用部件，使用包括等离子体耐蚀性优秀且赋予导电性的碳化钨的部件，由此，等离子体的耐蚀性优秀，且确保等离子体分布的均匀性，并简化结构。

附图说明

图1及图2为简要显示安装本发明的等离子体部件的等离子体处理设备的附图；

图3为本发明的WC的电子显微镜照片(a)，WC:Si＝95:5(vol％)的照片(b)及WC:C＝97:2(vol％)的照片(c)；

图4为本发明的WC的XRD图表；

图5为对比本发明的WC及现有的SiC的蚀刻率(％)的图表。

具体实施方式