[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
申请号: | 201780025998.2 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN109073977B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 境田康志;高濑显司;岸冈高广;坂本力丸 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
本发明的课题是提供常温下的保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂,1分子所述含氮化合物中具有2~6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。1分子中具有2~6个所述式(1)所示的取代基的含氮化合物为例如下述式(1A)所示的甘脲衍生物。(式中,R1各自独立地表示甲基或乙基,R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、或苯基。)
技术领域
本发明涉及改善了保存稳定性的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制造方法、以及该抗蚀剂下层膜形成用组合物所包含的甘脲衍生物。
背景技术
专利文献1中公开了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含主链具有二硫键即“S-S键”的聚合物和溶剂,进一步包含交联性化合物和磺酸化合物。
专利文献2中公开了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有(A)树脂、(B)具有丁基醚基的交联剂和(C)溶剂,该(B)具有丁基醚基的交联剂为具有至少2个丁基醚基的含氮环状化合物,该含氮环状化合物为具有甘脲骨架或三嗪骨架的化合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2009/096340号
专利文献2:国际公开第2008/143302号
发明内容
发明所要解决的课题
关于抗蚀剂下层膜形成用组合物,不仅关于由该组合物获得的抗蚀剂下层膜的稳定性,而且近年来关于该组合物本身的保存稳定性应该满足的基准越来越严。因此,要求抗蚀剂下层膜形成用组合物的保存稳定性的进一步提高,并要求即使在长期保存后,通过凝胶渗透色谱(以下,在本说明书中简称为GPC。)分析而获得的、该组合物的GPC图的峰等也没有变化,即分子量分布没有变化。
例如,在作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的成分交联性化合物和溶剂,分别使用具有烷氧基的含氮化合物、和含有具有羟基的醇类的有机溶剂的情况下,在磺酸化合物的存在下,该烷氧基与该具有羟基的醇类自发地反应。其结果,有时上述抗蚀剂下层膜形成用组合物的保存稳定性差。
用于解决课题的方法
本发明的第一方案是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物和有机溶剂,1分子所述含氮化合物中具有2~6个与氮原子键合的下述式(1)所示的取代基。
(式中,R1表示甲基或乙基。)
1分子中具有2~6个上述式(1)所示的取代基的含氮化合物例如为下述式(1A)所示的甘脲衍生物。
(式中,4个R1各自独立地表示甲基或乙基,R2和R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、或苯基。)
本发明的第二方案是本发明的第一方案的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物的制造方法,其包含:使1分子中具有2~6个与氮原子键合的下述式(2)所示的取代基的含氮化合物与下述式(3)所示的至少1种化合物反应来合成1分子中具有2~6个上述式(1)所示的取代基的含氮化合物,将1分子中具有2~6个上述式(1)所示的取代基的含氮化合物、上述聚合物、和上述促进交联反应的化合物溶解于上述有机溶剂。
(式中,R1表示甲基或乙基,R4表示碳原子数1~4的烷基。)
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