[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含氮化合物、聚合物、促进交联反应的化合物、和有机溶剂，

所述含氮化合物为下述式(1A)所示的甘脲衍生物，

式(1A)中，4个R₁各自独立地表示甲基或乙基，R₂和R₃各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基，

所述促进交联反应的化合物为4-甲基苯磺酸、对甲苯磺酸吡啶4-羟基苯磺酸或5-磺基水杨酸。

2.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述有机溶剂为选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、甲基乙基酮、乳酸乙酯、环己酮、γ-丁内酯、3-乙氧基丙酸乙酯和4-甲基-2-戊醇中的1种、或2种以上的混合物。

3.根据权利要求1或2所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，相对于所述聚合物，所述含氮化合物的含量为1质量％～80质量％。

4.权利要求1～3中任一项所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物的制造方法，其包含以下步骤：使下述式(2A)所示的甘脲衍生物与下述式(3)所示的至少1种化合物反应来合成式(1A)所示的甘脲衍生物，将该式(1A)所示的甘脲衍生物、所述聚合物、和所述促进交联反应的化合物溶解于所述有机溶剂，

式(3)中，R₁表示甲基或乙基，

式(2A)中，R₂和R₃各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基，R₄各自独立地表示碳原子数1～4的烷基。

5.下述式(1A)所示的甘脲衍生物，

式(1A)中，4个R₁各自独立地表示甲基或乙基，R₂和R₃各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、或苯基。