[发明专利]具有耐氯和氟等离子体侵蚀性的涂覆的半导体加工构件及其复合氧化物涂层有效
| 申请号： | 201780018052.3 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108884546B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | M·纳伊姆;D·R·哈梅里克 | 申请（专利权）人： | FM工业公司 |
| 主分类号： | C23C4/11 | 分类号： | C23C4/11;C23C4/134 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 汤国华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 等离子体 侵蚀 半导体 加工 构件 及其 复合 氧化物 涂层 | ||
1.一种半导体加工构件，包括：
主体；
设置在所述主体上的等离子体喷涂涂层；
其中，所述涂层是ABO或ABCO复合氧化物固溶体组合物，所述涂层选自Yb2Si2O7、La1.5Ce0.5Zr2O7、Ce0.25Zr0.75O2和Ce0.7Gd0.3O2，
所述涂层中任一痕量元素的含量小于50ppm，
由此，所述涂层赋予耐氯等离子体侵蚀性和耐氟等离子体侵蚀性，减少等离子体蚀刻期间的颗粒产生，并防止所述涂层在所述构件的湿清洁期间开裂。
2.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，所述涂层选自La1.5Ce0.5Zr2O7、Ce0.25Zr0.75O2和Ce0.7Gd0.3O2。
3.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，涂层中任一重金属含量小于20ppm，任一碱金属含量小于10ppm，Fe、Ni和Cu含量各小于2ppm。
4.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，主体是裸铝合金主体。
5.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，主体是阳极氧化铝合金主体。
6.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，所述涂层的最外表面具有80～150μin的表面粗糙度Ra，所述表面的峰谷比Rp/Rv在0.30～0.60的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体加工构件，进一步包含在涂层和主体之间的粘合层，以提高所述涂层的拉伸粘合强度。
8.根据权利要求7所述的半导体加工构件，其中，所述粘合层选自(1)Si和(2)共相完全稳定的氧化锆和Y2O3。
9.根据权利要求1所述的半导体加工构件，其中，所述涂层减少半导体工具中工作晶片的污染，使得在晶片上测得的Na的量小于1x 1014原子/cm2。
10.一种用于半导体加工构件的等离子体喷涂涂层，其中，所述涂层选自La1.5Ce0.5Zr2O7、Ce0.25Zr0.75O2和Ce0.7Gd0.3O2固溶体，
其中，所述涂层中任一痕量元素的含量小于50ppm，
由此，所述涂层赋予耐氯等离子体侵蚀性和耐氟等离子体侵蚀性，减少等离子体蚀刻期间的颗粒产生，并防止所述涂层在湿清洁期间开裂。
11.根据权利要求10所述的等离子体喷涂涂层，其中，所述涂层中任一重金属含量小于20ppm，任一碱金属含量小于10ppm，Fe、Ni和Cu含量各小于2ppm。
12.根据权利要求10所述的等离子体喷涂涂层，其中，所述涂层的最外表面具有80～150μin的表面粗糙度Ra，所述表面的峰谷比Rp/Rv在0.30～0.60的范围内。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
