[发明专利]镀膜机在审
申请号: | 201780017921.0 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN109314032A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 维克多·贝利多·冈萨雷斯 | 申请(专利权)人: | 基恩科有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 英国默*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子发射 阴极元件 溅射 等离子体装置 电子发射区域 反馈控制系统 电子束蒸镀 磁场路径 磁控溅射 电场区域 镀膜沉积 离子处理 离子轰击 脉冲模式 制造工艺 磁约束 镀膜机 强电场 热蒸镀 引导的 电离 磁镜 磁场 传输 管理 | ||
1.一种镀膜机,包括:
蒸汽供应部;
热离子发射体,其位于邻近所述蒸汽供应部但与所述蒸汽供应部隔开;
阳极,其位于热离子发射体的与所述蒸汽供应部相对的一侧;
偏置装置,其在使用中适于使所述热离子发射体相对于所述阳极负偏置;和
磁性装置,其在使用中适于产生磁场;
其中所述磁场包括:
所述热离子发射体周围的低磁场强度区域;和
在所述蒸汽供应部和所述阳极之间延伸的磁场区域,使得在使用中,由所述热离子发射体发射的电子:
与所述蒸汽供应部相互作用以使蒸汽从所述蒸汽供应部发射并且至少部分地使来自所述蒸汽供应部的蒸汽电离,从而形成至少部分电离的蒸汽通量;以及
被吸引到所述阳极,从而形成朝向所述阳极的电子通量,所述电子通量至少部分地被限制在所述蒸汽供应部和所述阳极之间延伸的磁场区域内,
并且其中:
所述产生的至少部分受限的电子通量与所述至少部分电离的蒸汽通量相互作用以在朝向所述阳极的方向引导所述至少部分电离的蒸汽通量,并且优选地沿着对应于在所述蒸汽供应部和所述阳极之间延伸的磁场区域的路径引导所述至少部分电离的蒸汽通量。
2.根据权利要求1所述的镀膜机,其中所述磁场包括磁场阱。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜机,其中所述磁场包括具有非常低的、接近零或零磁场强度的磁约束区域,所述磁约束区域以相对较高磁场强度区域为边界。
4.根据引用权利要求2的权利要求3所述的镀膜机,其中所述相对较高磁场强度区域在所述磁约束区域周围形成等离子阱,其抑制或阻止所述电子通量,并因此抑制或阻止所述至少部分电离的蒸汽通量进入所述磁约束区域。
5.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中所述磁场包括或形成电子磁镜。
6.根据权利要求5所述的镀膜机,其中所述电子磁镜包括至少一个磁体,所述磁体至少一个在使用中被配置为使具有所述电子通量的电子从相对高密度的磁场区域朝向相对较低密度的磁场区域偏转。
7.根据权利要求6所述的镀膜机,其中所述电子磁镜被配置为将所述电子通量的电子方向从基本朝向所述蒸汽供应部反转到基本朝向所述阳极。
8.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中所述热离子发射体周围的低磁场强度区域包括具有非常低的、接近零或零磁场强度的磁约束区域。
9.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中所述热离子发射体周围的低磁场强度区域包括低、接近零或零磁场强度区域。
10.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中在所述蒸汽供应部和所述阳极之间延伸的磁场区域是低、接近零磁场强度或零磁场强度区域。
11.根据权利要求1至9中任意一项所述的镀膜机,其中在所述蒸汽供应部和所述阳极之间延伸的磁场区域是磁场强度高于所述热离子发射体周围的低磁场强度区域的磁场强度的区域。
12.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中所述热离子发光体相对于所述阳极是阴极。
13.根据权利要求12所述的镀膜机,其中所述偏置装置在使用中适于将所述热离子发射体相对于所述阳极负偏置,从而在所述热离子发射体和所述阳极之间产生电场。
14.根据前述权利要求中任意一项所述的镀膜机,其中所述热离子发射体包括在被加热时发射电子的装置。
15.根据权利要求14所述的镀膜机,其中所述热离子发射体包括灯丝。
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