[发明专利]纳米多孔半导体材料及其制造有效
| 申请号： | 201780017477.2 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN109072451B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·格罗斯曼;布伦丹·德里克·史密斯;亚廷·贾耶什·帕蒂尔;尼古拉·费尔拉利什 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 半导体材料 及其 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米多孔半导体材料，包括：
半导体材料；以及
形成在所述纳米多孔半导体材料的表面中的多个孔，所述多个孔的平均孔直径小于10nm，并且其中所述多个孔限定了大于或等于所述半导体材料的表面积的10％的总孔面积，
其中所述多个孔的平均孔间间距小于10nm。
2.根据权利要求1所述的纳米多孔半导体材料，其中所述多个孔中的每个孔包含设置在所述孔内的贵金属纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的纳米多孔半导体材料，其中所述贵金属纳米颗粒为金纳米颗粒。
4.根据权利要求1所述的纳米多孔半导体材料，其中所述多个孔被蚀刻到所述半导体材料的所述表面中。
5.根据权利要求1所述的纳米多孔半导体材料，其中所述多个孔的平均纵横比大于75:1。
6.根据权利要求1所述的纳米多孔半导体材料，其中所述半导体材料为硅。
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