[发明专利]硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体

说明书

一种硅通孔芯片的二次封装方法及硅通孔芯片的二次封装体。硅通孔芯片(1)具有相对的正向表面(11)与反向表面(12)，反向表面(12)上设置有焊球阵列封装BGA锡球(2)，硅通孔芯片(1)的二次封装方法包括：将至少一硅通孔芯片(1)放置在铺设有释放应力膜层(3)的底座(41)上；使用软化的塑封胶(5)包覆硅通孔芯片(1)；待塑封胶(5)固化后去除底座(41)，以获取硅通孔芯片(1)的二次封装体；对二次封装体的表面进行处理，以露出BGA锡球(2)。在二次封装中无需使用基板作为载体，在保证硅通孔芯片(1)具有较高机械结构强度的基础上，降低了二次封装体的厚度，有利于电子产品的薄型化和小型化设计。

交叉引用

本申请引用于2017年2月13日递交的名称为“硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体”的第PCT/CN2017/073354号国际专利申请，其通过引用被全部并入本申请。

技术领域

本申请实施例涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体。

背景技术

带有指纹识别功能的电子产品随着整机设计的需要，逐步迈向小型化和薄型化方向发展，因此，对指纹识别芯片的厚度也提出了越来越高的要求，同时，在满足芯片封装尺寸的要求下，还需要封装体具有良好的机械结构强度以及较小的低翘曲度。

然而，发明人发现在现有的指纹识别芯片的封装方案中，至少存在以下技术问题：不论是采用trench挖槽工艺进行的wire bond打线封装还是TSV(Through Silicon Vias)硅通孔封装，均需要使用基板101作为载体进行二次封装(如图1所示为硅通孔芯片的剖面示意图，如图2所示为采用基板101进行二次封装后的剖面示意图)，在使用基板作为载体进行封装后，整个封装体的厚度一般会超出0.5mm，单个封装体的翘曲度也会接近50um，这样的封装体尺寸是无法满足电子产品日趋小型化和薄型化的设计需求的。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体，二次封装中无需使用基板作为载体，因此，在保证硅通孔芯片具有较高机械结构强度的基础上，降低了二次封装体的厚度，有利于电子产品的薄型化和小型化设计。

为解决上述技术问题，本申请的实施例提供了一种硅通孔芯片的二次封装方法，硅通孔芯片具有相对的正向表面与反向表面，反向表面上设置有焊球阵列封装BGA锡球，硅通孔芯片的二次封装方法包括：将至少一硅通孔芯片放置在铺设有释放应力膜层的底座上；其中，硅通孔芯片的正向表面接触释放应力膜层；使用软化的塑封胶包覆硅通孔芯片；待塑封胶固化后去除底座，以获取硅通孔芯片的二次封装体；对二次封装体的表面进行处理，以露出BGA锡球；其中，被处理的二次封装体的表面与硅通孔芯片的反向表面相对应。

本申请的实施例还提供了一种硅通孔芯片的二次封装体，包括：硅通孔芯片与塑封胶；硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；塑封胶包覆硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，焊锡球外露于塑封胶的表面。

本申请实施例相对于现有技术而言，通过采用释放应力膜层，当塑封胶固化后，使得硅通孔芯片的二次封装体可以与铺设有释放应力膜层的底座分离，得到无基板形式的二次封装体，在保证硅通孔芯片具有较高机械结构强度的基础上，相较于基板封装形式降低了硅通孔芯片二次封装体的厚度，有助于电子产品的薄型化和小型化设计。

另外，使用软化的塑封胶包覆硅通孔芯片中，具体包括：将具有空腔的注塑模具按压在底座上，使得硅通孔芯片位于空腔中；向空腔中注入软化的塑封胶，使得塑封胶包覆硅通孔芯片。本实施例提供了使用软化的塑封胶包覆硅通孔芯片的第一种具体实现方式，即采用注塑模具注入软化的塑封胶的方式。