[发明专利]用于在储存体装置的编程之前进行擦除检测的系统和方法

权利要求书

1.一种用于操作储存体装置的方法，包括：

确定将多个位编程到存储器的区段的单元中，所述多个位由至少擦除状态表示，第一编程状态和第二编程状态，其中所述第一编程状态和所述第二编程状态与所述擦除状态不同；

确定所述储存体装置中的存储器的区段的编程干扰的指示；

基于所述指示确定用于在存储器的所述区段中编程所述第二编程状态的经调整的编程电压，用于编程所述第二编程状态的所述经调整的编程电压从在所述存储器的区段中不存在可检测的编程干扰的情况下用于编程所述第二编程状态的编程电压偏移；

确定在所述存储器的区段中不存在可检测的编程干扰的情况下用于在所述存储器的区段中编程所述第一编程状态的编程电压；

基于所述确定的用于编程所述第二编程状态的经调整的编程电压并且基于所述确定的用于编程所述第一编程状态的编程电压将数据编程到所述存储器的区段中；以及

响应于读取被编程到所述存储器的区段中的所述数据中的部分或全部的命令，使用基于所述确定的用于编程所述第二编程状态的经调整的编程电压和所述确定的用于编程所述第一编程状态的编程电压所调整的读取电压，从所述存储器的区段读取所述数据；

其中确定所述储存体装置中的存储器的区段的编程干扰的指示是基于对所述存储器的区段的真正擦除状态的分析或基于制造储存体装置时预先编程的预设指示。

2.如权利要求1所述的方法，其中确定的所述编程干扰的指示包括存取将存储器的相应区段与编程干扰的相应指示相关联的表格。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述编程干扰的指示包括偏移电压，所述偏移电压包括对在所述存储器的区段中不存在可检测的编程干扰的情况下的用于编程所述第二编程状态的编程电压的偏移；并且

其中确定用于在所述存储器的区段中编程所述第二编程状态的所述经调整的编程电压包括将所述偏移电压加到在所述存储器的区段中不存在可检测的编程干扰的情况下的用于编程所述第二编程状态的编程电压。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述编程干扰的指示基于对所述存储器的区段中的一个或多个单元的所述擦除状态的分析。

5.如权利要求4所述的方法，其中确定所述编程干扰的指示包括：

对处于所述擦除状态的字线的单元中的大于预定阈值的位的数目进行计数；以及

基于大于所述预定阈值的位的数目，确定所述编程干扰的指示。

6.如权利要求1所述的方法，还包括，

响应于接收到所述读取被编程到所述存储器的区段中的数据中的部分或全部的命令，从表格存取所述确定的经调整的编程电压。

7.一种储存体装置，包括：

擦除状态分析电路，其配置为分析所述储存体装置中的字线中的至少部分的擦除状态，以便确定所述字线中的至少部分中的编程干扰的指示，其中所述字线在之中具有至少由擦除状态、第一编程状态以及第二编程状态表示的多个位；

编程确定电路，其配置为确定用于将多个位编程到所述储存体装置中的编程电压，所述编程确定电路配置为：

确定编程电压，所述编程电压用于在存储器的区段中不存在可检测的编程干扰的情况下在所述存储器的区段中编程所述第一编程状态；以及

基于所述确定的编程干扰的指示，确定经调整的编程电压，所述经调整的编程电压用于编程所述第二编程状态，所述经调整的编程电压从在不存在所述编程干扰的指示的情况下编程所述第二编程状态偏移；

编程电路，其配置为基于用于编程所述第一编程状态的所述编程电压和用于编程所述第二编程状态的所述经调整的编程电压来编程所述字线；以及

读取电路，其配置为使用读取电压读取，所述读取电压基于所述确定的用于编程所述第一编程状态的编程电压和所述用于编程所述第二编程状态的经调整的编程电压；

其中确定所述储存体装置中的存储器的区段的编程干扰的指示是基于对所述存储器的区段的真正擦除状态的分析或基于制造储存体装置时预先编程的预设指示。