[实用新型]带立式电容的两片式同步整流二极管有效
| 申请号： | 201721876391.9 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN208142170U | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏;徐明星 | 申请（专利权）人： | 山东芯诺电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/03 | 分类号： | H01L25/03 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 周仕芳;卢登涛 |
| 地址： | 272100 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 同步整流二极管 控制IC芯片 两片式 外置 引脚 本实用新型 结构缺陷 键合线 接线端 外接线 整合 优化 | ||
1.带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、立式电容(5)，所述第一框架(1)设有一个外置引脚，MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上；
所述第二框架(4)有两个外置引脚，控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)，立式电容(5)固定在第二框架(4)上，立式电容(5)下部为外接线端，上部为内接线端；
所述MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、立式电容(5)之间通过键合线连接。
2.根据权利要求1所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述立式电容(5)包括电容基底(53)，所述的电容基底(53)包括上端面(52)和下端面(55)，上端面(52)和下端面(55)的内侧均设有内电极(56)，内电极(56)包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面(52)，另一端不接触下端面(55)，下电极连接下端面(55)，另一端不接触上端面(52)，上端面(52)和下端面外部设有金属层形成外部端电极(57)，端电极(57)平行于安装面且与内电极(56)连接。
3.根据权利要求2所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的电容基底(53)的上端面(52)和下端面(55)内侧蚀刻沟槽(51)，沟槽(51)内填充金属形成内电极。
4.根据权利要求2所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的内电极(56)立式交错布置的空隙中设有介电层(54)，介电层(54)和内电极(56)之间形成电容效应。
5.根据权利要求2所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的电容基底(53)呈水平方向长宽对等的薄形外观，外层由介质包裹。
6.根据权利要求4所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述的介电层(54)为电子硅材料或陶瓷材料。
7.根据权利要求1所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第一框架(1)、第二框架(4)为铜合金框架。
8.根据权利要求1所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、立式电容(5)通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。
9.根据权利要求1所述的带立式电容的两片式同步整流二极管，其特征在于，所述第一框架(1)的外置引脚为同步整流二极管的阴极，第二框架(4)的外置引脚为同步整流二极管的阳极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东芯诺电子科技股份有限公司，未经山东芯诺电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721876391.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
