[实用新型]一种太阳能电池

说明书

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别地涉及短路电流较高的太阳能电池。本实用新型公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层、第一TCO膜层、第二TCO膜层和n型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次形成第一本征非晶硅层、n型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次形成第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层和第二TCO膜层。本实用新型提供的太阳能电池可获得较高的短路电流，因此提高了太阳能电池的性能。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体地涉及短路电流较高的太阳能电池。

背景技术

太阳能电池能够将太阳光直接转换为电力，因此作为新的能量源受到越来越多国家的重视。

Heterojunction with Intrinsic Thin layer太阳能电池简称HIT太阳能电池，其最早是由三洋公司发明的，其是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶硅基片和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。由于HIT太阳能电池具有高的光电转换效率，低的温度系数和在相对低温条件下的制备技术，在近几年来成为光伏行业研究和开发的重点方向之一。目前日本的三洋公司产业化的HIT太阳能电池的效率已超过23％，其实验室效率已超过了25％。

图1所示为现有的HIT太阳能电池的结构示意图。在图1中，在由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体构成的n型结晶类硅基板1的一个主面上，第一本征非晶硅层2、n型非晶硅层3依次叠层，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层作为第一TCO膜层6和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极8；在结晶类硅基板1的另一个主面上依次叠层第二本征非晶硅层4、p型非晶硅层5，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层作为第二TCO膜层7和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极8。

由于非晶硅膜层的透光性较差，所以在HIT的制作过程中，非晶硅膜层的厚度都要求的比较薄，但是厚度太薄的非晶硅膜层对基板表面的钝化效果不佳，同时也不利于载流子的生成与收集，电池性能较差。

发明内容

本实用新型的目的在于为解决上述的现有HIT太阳能电池技术中存在的问题，提供一种可以使更多的光透过膜层进入到基板中被基板所吸收，使太阳能电池的短路电流得到提高，从而增强了太阳能电池的性能的太阳能电池。

为此，本实用新型公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层、第一TCO膜层和第二TCO膜层，还包括n型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次形成第一本征非晶硅层、n型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次形成第二本征非晶硅层、p型非晶硅膜层和第二TCO膜层。

进一步的，所述基板为单晶硅片或多晶硅片；所述第一本征非晶硅层为氢化第一本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层为氢化第二本征非晶硅层，所述p型非晶硅膜层为氢化p型非晶硅膜层。

进一步的，所述n型碳硅膜层为n型非晶态碳硅膜层、n型微晶态碳硅膜层或它们的叠层组合。

进一步的，所述n型碳硅膜层由一层或多层组成，所述n型碳硅膜层为氢化n型碳硅膜层。

进一步的，所述第一TCO膜层和第二TCO膜层上分别设置有栅线电极。

进一步的，所述第一TCO膜层上设置有栅线电极，所述第二TCO膜层上形成有金属膜层，所述金属膜层覆盖第二TCO膜层的大部分区域，所述金属膜层为一层或多层。

更进一步的，所述金属膜层为金、银、铜、铬、镍、铝或它们的组合层。

进一步的，所述栅线电极为银栅线电极、铜栅线电极或它们的组合。

进一步的，所述第一本征非晶硅膜层与n型碳硅膜层之间设有n型非晶硅膜层和/或n型微晶硅膜层，所述n型非晶硅膜层为氢化n型非晶硅膜层，所述n型微晶硅膜层为氢化n型微晶硅膜层。