[实用新型]一种硅舟有效
申请号: | 201721825746.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN208142144U | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 任怡斌;李长苏;祝建敏 | 申请(专利权)人: | 杭州大和热磁电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;方琦 |
地址: | 310053 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 齿棒 硅舟 法兰 沟齿 天板 本实用新型 平行设置 隔热效果 上下排布 中间支撑 高纯硅 容置槽 承托 等距 支承 搁置 平行 承接 制作 加工 | ||
1.一种硅舟,用于硅片在热处理过程中的支承和隔热,其特征在于:所述硅舟包括平行设置且对应的法兰(1)和天板(2),所述法兰和天板之间设有若干用于承托所述硅片的硅齿棒(3),所述硅齿棒内侧设有多个等距且相互平行的沟齿(31),所述硅片插入并搁置于所述沟齿上;所述硅齿棒(3)的横截面呈三角形,其三角形顶端朝向内侧,三角形底边朝向外侧;所述硅齿棒(3)数量为三根,包括两根前沟棒(32)和一根后沟棒(33),前沟棒和后沟棒上的沟齿(31)均设于硅齿棒内侧的三角形顶端,三根硅齿棒上的相应沟齿形成同一平面的硅片容置槽,两根前沟棒上对应沟齿的齿底间距大于硅片宽度,两根前沟棒上对应沟齿的齿顶间距小于硅片宽度,硅片插入对应的硅片容置槽并搁置于沟齿上。
2.根据权利要求 1 所述的一种硅舟,其特征在于:所述硅舟材料为高纯硅。
3.根据权利要求 1所述的一种硅舟,其特征在于:所述沟齿平面呈倾斜状,沟齿(31)顶端向下倾斜,倾斜角度为α。
4.根据权利要求 3 所述的一种硅舟,其特征在于:所述倾斜角度α为 2°。
5.根据权利要求 1 所述的一种硅舟,其特征在于:所述法兰(1)呈环状结构,法兰上设有与所述硅齿棒(3)下端部相吻合且可容置硅齿棒下端部的下卡孔(11),所述天板(2)呈环状结构,天板上设有与硅齿棒上端部相吻合且可容置硅齿棒上端部的上卡孔(21),所述上卡孔和下卡孔一一对应,硅齿棒垂直于法兰平面,硅齿棒的下端部嵌设于下卡孔,硅齿棒的上端部嵌设于上卡孔内。
6.根据权利要求 1 所述的一种硅舟,其特征在于:所述法兰(1)和天板(2)上分别设有一一对应的工艺孔(12),法兰上还设有法兰固定孔(13)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造