[实用新型]一种晶圆连续清洗装置有效
申请号: | 201721796766.0 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207651456U | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 黄雷 | 申请(专利权)人: | 昆山成功环保科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;B08B3/02;B08B3/10;B08B3/14;B08B1/02 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗喷头 清洗室 晶圆 连续清洗装置 连续传送 清洗装置 种晶 清洗 本实用新型 传统单片 供液装置 清洗模式 清洗效率 循环运动 清洗液 穿越 节约 | ||
本实用新型涉及了一种晶圆连续清洗装置,其包括:设有清洗装置的清洗室;清洗装置包括清洗喷头,清洗喷头设置在清洗室的顶部和底部,清洗喷头与供液装置通过管路相连;晶圆连续传送机构,其穿越清洗室并循环运动。将晶圆放置在晶圆连续传送机构上,并通过清洗室顶部和底部设置的清洗喷头进行清洗,这样一来,改变了传统单片清洗模式,晶圆可以进行批量、集中清洗,不但提高了清洗效率,且在一定程度上节约了清洗液的使用量。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆连续清洗装置。
背景技术
在集成电路制造领域,在某些工艺步骤之后,通常会在晶圆表面留下污染物,这些污染物对产品后续工艺的影响非常大。因此,在半导体器件制造过程中,最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗,以去除附着在晶圆表面的污染物。目前,晶圆的清洗通常采用旋转型机台来完成,在晶圆旋转的同时,从晶圆上方将去离子水排放到晶圆上,晶圆上污染物不易被清除彻底,特别是颗粒物,且为单片式清洗制程,清洗效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种功能可靠,且能使晶圆连续清洗的晶圆连续清洗装置。该晶圆连续清洗装置包括:
设有清洗装置的清洗室;
清洗装置包括清洗喷头,清洗喷头设置在清洗室的顶部和底部,清洗喷头与供液装置通过管路相连;
晶圆连续传送机构,其穿越清洗室并循环运动。
将晶圆放置在晶圆连续传送机构上,并通过清洗室顶部和底部设置的清洗喷头进行清洗,这样一来,改变了传统单片清洗模式,晶圆可以进行批量、集中清洗,不但提高了清洗效率,且在一定程度上节约了清洗液的使用量。
作为本实用新型的进一步改进,晶圆连续传送机构包括机架,以及设置在机架上同步转动的传送托辊。
晶圆连续传送机构由机架及其上设置的同步转动的传送托辊等组成,晶圆传送可靠,且结构形式简单,制作成本低。
作为本实用新型的进一步改进,各传送托辊的轴端部设置有齿轮,各齿轮通过链条驱动。
齿轮、链条相配合驱动形式结构简单,传动可靠,且便于进行故障诊断及解决。
作为本实用新型的进一步改进,晶圆连续清洗装置还包括有擦拭装置,擦拭装置包括上擦拭托辊和下擦拭托辊,下擦拭托辊稍低于传送托辊,上擦拭托辊对应的布置在下擦拭托辊的正上方,两者形成的间隙稍小于晶圆厚度,擦拭托辊上包裹有弹性透水性材料。
通过清洗喷头将清洗液喷射到晶圆上,可以将晶圆表面大部分污染物清除,但依然会存在一些顽固污渍。在原来基础上,增设了擦拭托辊,且上、下擦拭托辊形成的间隙稍小于晶圆厚度,可以使得擦拭托辊上包裹的弹性透水性材料紧压在晶圆表面上,提高颗粒物去除能力,清洗效果大大增强。
作为本实用新型的进一步改进,弹性透水性材料为海绵。
作为本实用新型的进一步改进,擦拭装置包括有多组上擦拭托辊和下擦拭托辊。
多组上擦拭托辊和下擦拭托辊相互配合,可以多次对晶圆表面进行加压擦拭,保证清洗效果。
作为本实用新型的进一步改进,供液装置的管路上设置有加热装置。
通过加热装置对清洗液进行加热,使得其具有更高的分子动能,可以有效破坏污染物与晶圆表面的粘附性,加大清洗的力度,提高颗粒物去除效率,达到极佳的清洗效果。
作为本实用新型的进一步改进,晶圆连续清洗装置还包括废液收集装置及废液处理装置。
晶圆清洗过程中会产生大量废液,如不经处理直接排放,会对环境造成极其严重的污染。通过设置的废液收集装置对废液进行收集,而后通过废液处理装置进行处理,从而避免了上述污染情况的发生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造