[实用新型]可挠性发光二极管结构有效
| 申请号： | 201721538082.0 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN207517719U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 佘庆威;郭浩中;黄陈嵩文;朱国雄;林志豪 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可挠性 发光二极管结构 氮化镓 米柱 发光二极管 可挠性基板 临时基板 发光二极管芯片 本实用新型 电流阻挡层 透明导电层 自由端部 弯折 柱身 制作 展示 平整 破裂 剥离 | ||
【权利要求书】：
1.一种可挠性发光二极管结构，其特征在于，包括：
可挠性基板；
形成于所述可挠性基板上的氮化镓奈米柱；
形成于所述氮化镓奈米柱的自由端部的电流阻挡层；以及
形成于所述氮化镓奈米柱的柱身的透明导电层。
2.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述可挠性基板的材质为软性聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述氮化镓奈米柱和所述可挠性基板之间设有N型氮化镓层和绝缘层。
4.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述氮化镓奈米柱的柱身和所述透明导电层之间设有氮化镓多重量子井和P型氮化镓。
5.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述透明导电层的外部注有有机硅和量子点。
6.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述电流阻挡层的材质为碳化硅。
7.如权利要求1所述的可挠性发光二极管结构，其特征在于：所述透明导电层为铟钖导电层。
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