[实用新型]一种有机发光二极管

说明书

本申请提供一种具有离子注入层的有机发光二极管(OLED)。在本申请的OLED中，在离子注入层上后续沉积的层结构更致密，具有极少的针孔数，使得本申请的OLED在发光效率和结合力方面优于现有OLED。

技术领域

本申请涉及有机发光二极管(OLED)领域，具体涉及一种具有离子注入层的OLED及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode, UIV OLED）又称有机电激光显示、有机发光半导体，具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，因而广泛运用于手机、数码摄像机、DVD机、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、汽车音响和电视。

现有技术的OLED多层结构如图1所示，可包括阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EM)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、及金属阴极(Cathode)。在设计上究竟选用多少层材料，须视各层材料能阶分布状况而定。采用多层结构的目的是为了造成如阶梯形式的能阶状态，使分别从阳极和阴极所提供的空穴和电子更容易传输至发光层，结合而后放出光子。而在材料的使用上，会适量加入掺杂来调节所需的能阶状态。

传统OLED制备工艺如下：

① 采用磁控溅射或蒸发镀膜工艺在透明柔性薄膜或玻璃基板上沉积ITO，作为阳极；

② 采用蒸发镀膜工艺在沉积有ITO薄膜的基板上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，形成多层结构；

③ 采用蒸发镀膜或磁控溅射工艺在多层结构上沉积金属电极，作为阴极，最终形成OLED。

采用传统的磁控溅射或热蒸发镀膜工艺制备的ITO薄膜与基板结合力较差，针孔多。结合力差影响OLED器件长期使用的可靠性，尤其对于柔性透明导电薄膜，需要ITO与柔性透明薄膜具有更高的结合力，以增加器件寿命。针孔多会使ITO薄膜的电阻率提高，降低导电性能。

类似地，传统的热蒸发镀膜或磁控溅射工艺制作金属电极带来较多的针孔，增加了电极电阻和功函数，降低了导电性，影响整个器件的特性，如使OLED亮度减弱。此外会导致剥离强度低，影响OLED器件的可靠性。

因此，在本领域中，期望实现在阳极与基板之间以及在金属电极与例如电子注入层之间的高结合力、减少的针孔甚至无针孔、以及改进的导电性能，从而得到性能提高的OLED。

发明内容

本申请的一个方面是提供一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括与基板相邻的第一相邻层和与金属阴极相邻的第二相邻层，其特征在于其特征在于具有以下至少一个离子注入层：

(i)在所述基板面向所述第一相邻层的表面上设置的第一离子注入层；

(ii)在所述第二相邻层面向所述金属阴极的表面上设置的第二离子注入层。

也就是说，本申请的有机发光二极管可仅具有第一离子注入层，或仅具有第二离子注入层，或同时具有第一和第二离子注入层两者。

根据一个实施方案，在本申请的有机发光二极管中，所述第一离子注入层的掺杂剂量为1x10¹⁴ions/ cm²-1x10¹⁶ions/ cm²，所述第二离子注入层的掺杂剂量为1x10¹⁴ions/cm²-1x10¹⁶ions/ cm²。

根据另一个实施方案，在本申请的有机发光二极管中，所述第一离子注入层和第二离子注入层的厚度各自为约1nm-20nm，例如约3-15nm，或约3-10nm，或约5nm。