[实用新型]一种有机发光二极管

权利要求书

1.一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括与基板相邻的第一相邻层和与金属阴极相邻的第二相邻层，其特征在于具有以下至少一个离子注入层：

(i)在所述基板面向所述第一相邻层的表面上设置的第一离子注入层；

(ii)在所述第二相邻层面向所述金属阴极的表面上设置的第二离子注入层。

2.根据权利要求1的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层的掺杂剂量为1x10¹⁴ions/cm²-1x10¹⁶ions/cm²，所述第二离子注入层的掺杂剂量为1x10¹⁴ions/cm²-1x10¹⁶ions/cm²。

3.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层和第二离子注入层的厚度各自为1nm-20nm。

4.根据权利要求3的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层和第二离子注入层的厚度各自为3-15nm。

5.根据权利要求3的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层和第二离子注入层的厚度各自为3-10nm。

6.根据权利要求3的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层和第二离子注入层的厚度各自为5nm。

7.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述第一相邻层为阳极。

8.根据权利要求7的有机发光二极管，其中所述阳极为通过等离子体沉积工艺形成的ITO薄膜。

9.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述第二相邻层为电子注入层。

10.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述金属阴极通过等离子体沉积工艺形成，其材料选自Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

11.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层中的掺杂离子与第一相邻层的材料种类相同，所述第二离子注入层中的掺杂离子与金属阴极的材料种类相同。

12.根据权利要求8的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层中掺杂离子的金属类型包括Sn、In或其合金；所述第二离子注入层中掺杂离子的金属类型包括Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

13.根据权利要求10的有机发光二极管，其中所述第一离子注入层中掺杂离子的金属类型包括Sn、In或其合金；所述第二离子注入层中掺杂离子的金属类型包括Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

14.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述基板选自玻璃、PI膜、PET膜、LCP薄膜。

15.根据权利要求7的有机发光二极管，其中在所述阳极和所述金属阴极之间设置有多层结构，该多层结构包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。

16.根据权利要求15的有机发光二极管，其中在所述多层结构中还包含一个或多个另外的功能层。

17.根据权利要求16的有机发光二极管，其中所述另外的功能层选自表面改性层、电子阻挡层、空穴阻挡层。

18.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中在具有第一离子注入层的情况下，所述基板和所述第一相邻层之间的结合力大于0.5N/m；在具有第二离子注入层的情况下的情况下，所述金属阴极和所述第二相邻层之间的结合力大于0.5N/m。