[实用新型]一种雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201721381860.X | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338397U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 光电二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：
由上至下依次排列的N型重掺杂层(15)、倍增层单晶衬底(14)、金属键合层(13)、吸收层InGaAs单晶衬底(12)、P型重掺杂InGaAs层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
所述倍增层单晶衬底(14)和吸收层InGaAs单晶衬底(12)都是通过提拉法或者区熔法制备的。
3.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
所述倍增层单晶衬底(14)的材料为Si、InP或者InAlAs。
4.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
所述N型重掺杂层(15)是通过对倍增层单晶衬底(14)进行离子注入掺杂形成的。
5.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
所述P型重掺杂InGaAs层(11)是通过对吸收层InGaAs单晶衬底(12)进行离子注入掺杂形成的。
6.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
所述金属键合层(13)的材料为AuZn或者AuSn合金。
7.根据权利要求1至6任一所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于：
还包括蒸镀在N型重掺杂层(15)的N型电极(16)，和蒸镀在P型重掺杂InGaAs层(11)的P型电极(17)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
