[实用新型]自动测方阻设备有效
申请号: | 201721373722.7 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN207517646U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 袁华斌 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 方阻 缓存区 花篮 硅片输送 校正区 下片 装满 本实用新型 自动化测试 测试 标准对比 标准上限 标准下限 测试效率 硅片放置 批量检测 测试区 上料区 下料区 分出 划伤 片区 破片 取片 上片 校正 卸下 污染 | ||
本实用新型涉及一种自动测方阻设备,通过控制部分控制上料区将装满硅片的花篮输送至下片区,下片区将花篮内的硅片逐一卸下并输送至第一缓存区,第一缓存区将硅片输送至校正区,校正区将硅片校正后输送至测试区进行方阻测试,通过方阻测试完成的硅片被输送至第二缓存区,通过控制部分控制,跟设定标准对比后通过分片区分片后,将超过设定标准上限和超过设定标准下限的硅片分出,仅将方阻测试结果在正常范围内的硅片输送至上片区,并通过上片区将硅片放置在花篮上,最终将装满硅片的花篮通过下料区输送出去;有效避免了人工取片与测片带来的污染、破片与划伤的问题;自动化测试硅片方阻,大大提高了测试效率,可完成批量检测。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片技术领域,尤其是涉及一种自动测方阻设备。
背景技术
目前太阳能电池片领域中,制作P-N结,即扩散为太阳能电池技术的核心,扩散工艺在炉管内进行高温同磷源进行反应,在硅片表面生成磷单质,并通过高温与硅原子发生替换进入硅晶体内部,形成N型半导体,与之前P型硅片接触区域形成PN结。其中,判定扩散是否优良均是通过测试硅片表面方阻来体现。目前的测试设备均需要人工进行取片、测片和放片。不光效率低,期间不免有摩擦、破损和污染等不良现象;并且目前测试均是抽检硅片,对于未检测到的硅片,存在方阻异常流入下道工序的可能。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术中的测试设备均需要人工进行取片、测片和放片。不光效率低,期间不免有摩擦、破损和污染等不良现象;并且目前测试均是抽检硅片,对于未检测到的硅片,存在方阻异常流入下道工序的问题,提供一种自动测方阻设备。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种自动测方阻设备,包括:包括上料部分、测试部分、下料部分和控制部分,所述上料部分包括上料区、下片区、第一缓存区和校正区,所述测试部分包括测试区,所述下料部分包括第二缓存区、分片区、上片区和下料区,所述上料区、下片区、第一缓存区、校正区、测试区、第二缓存区、分片区、上片区和下料区呈流水线依次设置,所述控制部分分别控制上料区、下片区、第一缓存区、校正区、测试区、第二缓存区、分片区、上片区和下料区。
本实用新型的自动测方阻设备,通过控制部分控制上料区将装满硅片的花篮输送至下片区,下片区将花篮内的硅片逐一卸下并输送至第一缓存区,第一缓存区将硅片输送至校正区,校正区将硅片校正后输送至测试区进行方阻测试,通过方阻测试完成的硅片被输送至第二缓存区,通过控制部分控制,跟设定标准对比后通过分片区分片后,将超出超过设定标准上限和超过设定标准下限的硅片分出,仅将方阻测试结果在正常范围内的硅片输送至上片区,并通过上片区将硅片放置在花篮上,最终将装满硅片的花篮通过下料区输送出去;通过自动化测试硅片方阻,有效避免了人工取片与测片带来的污染、破片与划伤的问题;
自动化测试硅片方阻,大大提高了测试效率,可完成批量检测。
进一步的,所述上料区包括传输装置,两组所述传输装置上下间隔设置,所述传输装置的右侧固定安装有右光电传感器,所述右光电传感器与所述控制部分电连接,位于上方的传输装置用于输送装满硅片的花篮,位于下方的传输装置用于输送空花篮。
进一步的,所述下片区包括下片装置、夹紧装置和输送装置,所述下片装置包括联动装置和固定台,所述联动装置驱动所述固定台实现升降,所述夹紧装置固定安装在所述固定台的上方,所述输送装置包括传输装置和活动运输装置,所述传输装置固定安装在所述固定台上,并位于所述夹紧装置的正下方,所述活动运输装置位于夹紧装置与传输装置之间。
进一步的,所述第一缓存区和第二缓存区均包括联动装置、传输装置和储物篮,所述储物篮罩设所述传输装置,所述联动装置驱动所述储物篮实现升降。
作为优选,所述储物篮包括卡板,两个所述卡板平行且间隔设置,所述传输装置位于两个所述卡板之间,所述卡板上开设有若干缓存槽,两个所述卡板上的缓存槽一一对应设置,所述卡板上固定安装有左、右光电传感器,所述左、右光电传感器分别位于缓存槽的两端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造