[实用新型]一种镀膜承载盘及镀膜设备有效
申请号: | 201721258055.8 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN207265025U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 冯克耀;俞宽;杨丽莉;蔡家豪;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 承载 设备 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域,尤其涉及一种镀膜承载盘及其镀膜设备。
背景技术
发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称为LED)由于其具有寿命长、耗能低等优点,广泛应用于显示屏、室内外照明、车灯、可见光通信、植物照明等各种领域。尤其随着其照明性能指标的日益提高,LED正逐步替代传统白炽灯照明工具。
为进一步提升LED芯片亮度,通常在晶片减薄后在其背面通过真空镀膜镀制分布布拉格反射镜(简称为DBR),将射入晶片背面的光反射返回正面,从而提高LED的出光效率。镀制分布布拉格反射镜时,需将减薄后的晶片放入镀环内,而经减薄后的晶片由于应力问题会存在一定程度的翘曲,因此需再使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的芯片压平,之后再放入DBR镀锅内进行镀制DBR。使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的晶片片压平的目的是避免片源因翘曲造成晶片边缘与镀环存在空隙,从而在镀膜过程中发生镀到正面的异常。而使用的压盖/陪片,存在较多不足。如使用陪片或压盖,人员在放置陪片(报废片/玻璃片)时会存在电极刮伤/人为力度过大压破片等,造成良率损失。
发明内容
为解决以上问题,避免使用陪片或压盖压平晶片,本实用新型提供一种镀膜承载盘,用于放置具有磁吸附性区的晶片,至少包括一盘体,所述盘体上具有复数个放置晶片的开口,其特征在于:所述开口内缘设置有磁性环,所述承载盘还具有磁性承载架,所述磁性承载架承载晶片,一端与磁性环的上表面接触,另一端与晶片的磁吸附性区接触。
优选的,所述磁性承载架横截面呈Z型。
优选的,所述磁性环为一体的环形结构或者由多个磁性块围绕而成的环形结构。
优选的,所述磁性承载架为一体的环形结构或者由多个子磁性承载架围绕而成的环形结构。
优选的,所述晶片的磁吸附性区为一体的环形区域或者由多个子磁吸附性区围绕而成的环形区域。
优选的,所述磁性块与盘体一体成型或者为可拆卸结构。
优选的,所述磁性块与开口内侧壁通过卡槽固定。
优选的,所述晶片为平片或者具有翘曲的晶片。
本实用新型还提供一种镀膜设备,其特征在于:至少包括上述的任意一项的镀膜承载盘。
本实用新型在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区,并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块,以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架,晶片放置在Z型磁性支撑架上,并且支撑架与晶片磁吸附性区域接触位置产生磁吸现象,通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。
附图说明
图1为本实用新型之镀膜承载盘之俯视结构示意图。
图2为本实用新型之晶片俯视结构示意图。
图3为本实用新型之承载盘和晶片部分界面结构示意图。
图4为本实用新型之实施例1之磁性环和磁性承载架俯视结构示意图。
图5为本实用新型之实施例2之磁性环和磁性承载架俯视结构示意图。
其中,10.盘体;11.开口;20.磁性环;21.磁性块;30.磁性承载架;31.子磁性承载架;S.晶片;S1.磁吸附性区;S11.子磁吸附性区。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。需说明的是,本实用新型的附图均采用非常简化的非精准比例,仅用以方便、明晰的辅助说明本实用新型。
具体实施方式
参看附图1,本实用新型提供一种镀膜承载盘,本实用新型提供一种镀膜承载盘,用于放置具有磁吸附性区S1的晶片S(如图2所示),至少包括一盘体10,盘体10上具有复数个放置晶片S的开口11,开口11内缘设置有磁性环20,承载盘还具有磁性承载架30,磁性承载架30承载晶片S,其一端与磁性环20的上表面接触,另一端与晶片的磁吸附性区S1接触,其接触区域均通过磁性吸附。晶片S的磁吸附性区S1为在制备晶片S时镀制磁吸附性金属形成,磁吸附性金属例如为铁、钴、镍等金属物质。
参看附图3,磁性承载架30横截面呈Z型,其上端的水平部搭载于磁性环20上表面,也可以延伸至盘体10表面,下端的水平部承载晶片S。磁性环20与盘体10可以一体成型或者为可拆卸结构,当其为可拆卸结构时,磁性环20与开口11内侧壁可以通过卡槽固定。晶片S可以为平片或者具有翘曲的晶片,本实用新型尤其对具有翘曲的晶片S更具优势。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造