[实用新型]晶片载盘有效
申请号: | 201721247139.1 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN207347657U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 寻飞林;宋长伟;江汉;黄理承;徐志波;黄文宾;李政鸿;林兓兓;蔡吉明;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 | ||
本实用新型属于半导体设备领域,尤其涉及晶片载盘,其在传统的晶片承载盘放置晶片的凹槽内侧部设置可拆卸体,当晶片承载盘在使用过程中,由于撞击等原因导致可拆卸体损坏,直接更换其即可,晶片承载盘的其他部分还可继续使用,从而避免更换整个承载盘,从而造成生产物料的浪费,因此,可以节省晶片的生产成本。
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积领域,尤其涉及化学气相沉积的晶片载盘以包括其的化学气相沉积设备。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种固态半导体二极管发光器件,被广泛用于指示灯、显示屏、车灯、室内照明等照明领域。
目前LED用石墨盘多是采用碳素石墨作为基体材料并制成一个整体的圆盘,然后再在其上涂覆SiC保护层,形成最终的石墨承载盘。这种方法所制成的石墨盘是一个均匀一致的整体,通常会产生如下不利的影响:(1)由于目前石墨盘是石墨基材和SiC保护层组成,而SiC因密度较大,当其涂覆层过厚时,会导致石墨盘整体过沉,不利用在外延机台内使用;而如果涂覆层较薄,则晶片与石墨盘Pocket(晶片凹槽)生长时易发生碰撞,造成石墨盘的损坏,由于现有的石墨盘Pocket设计为一体结构,因此必须整个更换石墨盘,造成物料浪费,提高生产成本;(2)为得到较好的晶片质量,通常会在Pocket台阶上做一些特殊的图形设计,由于这些设计图形离Pocket侧壁比较近,加工起来通常难度较大,造成生产成本较高;(3)如果磊晶工艺或晶片衬底发生较大的变化,那么石墨盘则必须进行整体更换。
发明内容
为解决以上的问题,本实用新型一方面公开了晶片载盘,至少包括复数个放置晶片的第一凹槽,所述第一凹槽具有侧壁和底部,其特征在于:所述第一凹槽内缘设置有一可拆卸体,所述可拆卸体底部具有第二凹槽,所述第一凹槽侧壁或底部具有一与所述第二凹槽匹配的凸起,所述可拆卸体通过第二凹槽插入凸起内固定于所述第一凹槽的内缘。
优选的,所述第一凹槽侧壁横截面呈台阶状,具有一水平突出部,所述凸起设置于水平突出部的上表面,所述可拆卸体固定于所述第一凹槽内缘的水平突出部上。
优选的,所述第一凹槽侧壁横截面呈线状,所述凸起设置于第一凹槽的底部,所述可拆卸体固定于所述第一凹槽内缘的底部上。
优选的,所述第一凹槽的底部呈水平状、凹状或凸状。
优选的,所述可拆卸体为投影呈连续的环形结构或者由复数个子可拆卸体间隔排列形成的不连续结构。
优选的,所述突出部为投影呈连续的环形结构或者由复数个子突出部间隔排列形成的不连续结构。
优选的,所述凸起为投影呈连续的环形结构或者由复数个子凸起间隔排列形成的不连续结构。
优选的,所述第一凹槽的开口直径等于所述晶片的直径和可拆卸体的宽度之和。
优选的,所述突出部的宽度大于可拆卸体的宽度。
优选的,所述凸起的高度小于或等于所述突出部与晶片载盘表面的距离的1/3。
优选的,所述可拆卸体的材料为SiC。
优选的,所述突出部的宽度范围为0.01~2mm。
优选的,所述可拆卸体的宽度范围为0.05~1mm。
优选的,所述晶片的直径为2寸、4寸、6寸或8寸。
另一方面,本实用新型还提供了一种化学气相沉积设备,其特征在于:包括上述的任意一种晶片载盘。
本实用新型与传统的晶片载盘相比具有如下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司,未经安徽三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721247139.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种出料方便的农业粮食加工用烘干设备
- 下一篇:一种装有延时风缸的防溜器
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的